產(chǎn)品詳情
CVD工藝采用的設(shè)備為CVD反應(yīng)爐,根據(jù)反應(yīng)壓力可分為常壓或低壓CVD爐。日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LWCVD反應(yīng)爐常用的有臥室反應(yīng)爐和立式反應(yīng)爐。圖2.8所示為CVD臥式反應(yīng)爐工作原日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW理示意圖。為避免高溫,可以采用其他的能量供應(yīng)形式,例如,通過(guò)高能射頻源獲得的等離子體就是一種可選形式,稱(chēng)為等離子增強(qiáng)CVD (PECVD, Plasma Enhanced CVD)。
(2)外延工藝與設(shè)備
外延(Epitaxy)是在單晶襯底上、合適的條件下沿襯底原來(lái)的結(jié)晶軸向,日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW生長(zhǎng)一層晶格結(jié)構(gòu)完整的新的單晶層的制膜技術(shù)。新生單晶層按襯底晶相延伸生長(zhǎng),并稱(chēng)為外延層。長(zhǎng)了外延層的襯底稱(chēng)為外延片。