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IGBT動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

數(shù)量(套) 價格
9999 980000.00元/套
  • 最小起訂: 1套
  • 發(fā)貨地址: 陜西 西安市
  • 發(fā)布日期:2024-03-18
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陜西天士立科技有限公司

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  • 聯(lián)系人:王偉
  • 手機:13186093180
  • 電話:029-88225591
  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核 營業(yè)執(zhí)照
  • 經(jīng)營模式: 生產(chǎn)加工-
  • 所在地區(qū):陜西 西安市
  • 家家通積分:707分

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詳細(xì)參數(shù)
品牌美瑞克型號STA1200
類型電參數(shù)測量儀測量對象Si/SiC/GaN,MOS/IGBT/Diode
測量范圍1200V,200A測量精度1ns
功率500W/MAC電源220v
加工定制外形尺寸其他
重量150kg產(chǎn)地陜西省西安市

產(chǎn)品詳情

IGBT動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

 

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗

 

晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

基礎(chǔ)信息

高壓源:1200V(選配2000V)

高流源:100A(選配200A/300A/500A)

驅(qū)動電壓:±20V(選配±30V)

時間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps)

系統(tǒng)雜感:20nH

測試對象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT)

變溫測試:常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載:程控電感(0.01~160mH,步進(jìn)10uH) 

阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個

測試管型:可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs

測試標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗

 

晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

試驗原理舉例

 

 

晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

技術(shù)特點

1. 專注寬禁帶功率器件動態(tài)參數(shù)評測,軟件程控,測試條件界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動調(diào)節(jié)一鍵測試

2. 采用光纖驅(qū)動信號通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強

3. 自動加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃

4. 測試結(jié)果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析

5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測)

6. 柵極驅(qū)動電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻

7. DualARM控核,DSP數(shù)據(jù)采樣計算,極大減少控制時延誤差

 

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專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗

 

晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

試驗?zāi)芰?/b>

標(biāo)配:開通特性測試單元/Turn_ON

標(biāo)配:關(guān)斷特性測試單元/Turn_OFF

標(biāo)配:二極管反向恢復(fù)測試單元/Trr

標(biāo)配:柵電荷測試單元/Qg¨

選配:容阻測



試單元/CR¨

選配:短路測試單元/SC¨

選配:雪崩測試單元/UIS¨

選配:安全工作區(qū)單元/SOA¨

選配:動態(tài)電阻單元/

 

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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

參數(shù)指標(biāo)

 

 標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓: 5V-1200V, 分辨率 1V

漏極電流: 1A-100A, 分辨率1A;

柵極驅(qū)動: ±20V (選配±30V), 分辨率 0.1V

柵極電流: 2A/MAX

脈沖寬度: 1us-500us,步進(jìn) 0.1us

時間精度: 1ns

感性負(fù)載: 0.01mH-160mH 程序控制, 步進(jìn) 10uH

阻性負(fù)載: 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω ,  程控, 備用三個電阻

開關(guān)時間: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)延遲: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (選配400/200/100ps)

上下時間/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)損耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

 

 

 標(biāo)配  柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動電流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA

2-20mA, 分辨率 0.1mA

20mA-200mA, 分辨率 1mA

柵極電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

恒流源負(fù)載: 1-25A, 分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓: 5-100V, 步進(jìn) 0.1V

100-1200V, 步進(jìn) 1.0V

柵極電荷 Qg: 1nC-100μC

漏極電荷 Qgs: 1nC-100μC

源極電荷 Qgd: 1nC-100μC

平臺電壓 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V

 

 標(biāo)配  二極管反向恢復(fù)測試單元 / Qrr_FRD

正向電流: 1A-25A, 分辨率 0.1A

25A-100A (選配200A/300A) 分辨率 1A

反向電壓: 5v-100V, 步進(jìn) 0.1V

100V-1200V, 步進(jìn) 1.0v

反向恢復(fù)時間 Trr: 1-10000ns, 最小分辨率1ns (選配400/200/100ps)

反向恢復(fù)電荷 Qrr: 1nC-100μC, 最小分辨率 1nC;

反向恢復(fù)電流 Irm: 1A-100A (選配200A/300A);

反向恢復(fù)損耗 Erec: 1-2000mJ, 最小分辨率 1uJ;

電流下降率 dif/dt: 50-1kA/us;

電壓變化率 dv/dt: 50-1kV/us。

 

¨ 選配  短路特性測試單元/ SC

電流: 1000A/MAX

脈寬: 1us~100us

柵驅(qū)電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

漏極電壓: 5V~100V, 0.1V 分辨率

100V~1200V, 1.0V 分辨率

 

¨ 選配  雪崩測試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS: 100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH, 程控可調(diào)

 

¨ 選配  容阻測試單元 / CR

掃頻范圍: 0.1MHz~5MHz

漏源極電壓: 1200V, 分辨率 1V

 

¨ 選配  動態(tài)電阻Ron,dy

 

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IGBT動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

 

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