產(chǎn)品詳情
貝意克公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個(gè)實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。其優(yōu)勢有沉積溫度低,沉積速率快,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂等。
產(chǎn)品型號(hào):
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BTF-1200C-PECVD
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實(shí)驗(yàn)機(jī)理:
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PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡單。
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技術(shù)參數(shù):
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加熱區(qū)參數(shù)
反應(yīng)腔體尺寸:Φ50,Φ60,Φ80,Φ100
加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加熱區(qū)長度:440mm
恒溫區(qū)長度:200mm(±1℃)
工作溫度:1100℃
最高溫度:1200℃
控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報(bào)警功能
控溫精度:±1℃
升溫速率:20℃/min
爐門結(jié)構(gòu):開啟式
工作電源:AC220V /50HZ
額定功率:3KW
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真空參數(shù)
采用KF25系列波紋管和手動(dòng)擋板閥;
真空度可達(dá)10-3torr;
數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。
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流量控制參數(shù)
內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計(jì)可準(zhǔn)確的控制氣體流量;
氣體流量范圍可選,誤差為±1.5%;
一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥;
不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動(dòng)控制混合氣體輸入。
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射頻電源與匹配器
電源:單相50/60Hz 220v±10%
加熱(功率)電源:2.5KW,25A
控制柜電源空氣開關(guān):32A空氣開關(guān)
薄膜生長室溫度:室溫~ 1200℃
射頻頻率:13.56MHz
射頻功率輸出范圍:5~500W
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細(xì)節(jié)展示:
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外型尺寸:
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爐體:940×380×520mm
供氣及真空系統(tǒng):600×600×600mm
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凈重:
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130Kg
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認(rèn)證和專利:
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專利號(hào):ZL201320052532.0 (專利產(chǎn)品,防偽必究)
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