上海萱鴻電子技有限公司：

  代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，公司積累了堅實的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識，為電力拖動、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！ 代理品牌 1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；3、CONCEPT、IDC驅(qū)動片及驅(qū)動板；4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；

從功能上來說，IGBT就是一個由晶體管實現(xiàn)的電路開關(guān)。當(dāng)其導(dǎo)通時，可以承受幾十到幾百安培量級的電流；當(dāng)其關(guān)斷時，可以承受幾百至幾千伏特的電壓。

    家里的電燈開關(guān)是用按鈕控制的。IGBT作為晶體管的一種，它不用機(jī)械按鈕，而是由別的電路來控制的。具體點說，IGBT的簡化模型有3個接口，有兩個（集電極、發(fā)射極）接在強(qiáng)電電路上，還有一個接收控制電信號，叫作門極。給門極一個高電平信號，開關(guān)（集電極與發(fā)射極之間）就通了；再給低電平信號，開關(guān)就斷了。給門級發(fā)出控制指令的電路稱為控制電路，你可以理解為是一種“計算機(jī)”，只不過實際用的“計算機(jī)”通常是單片機(jī)或者是叫作DSP的微處理器，擅長處理數(shù)字信號，比較小巧，甚至對于一些很基本的應(yīng)用，可能靠一些簡單的芯片和電路就可以實現(xiàn)控制，無需編程。但要注意的是，門級所謂數(shù)字信號的電壓也需要10到20伏特，所以在控制電路和IGBT之間還需要一個小的“驅(qū)動電路”來進(jìn)行信號的轉(zhuǎn)換。

    這種可以用數(shù)字信號控制的強(qiáng)電開關(guān)還有很多種。作為其中的一員，IGBT的特點是，在它這個電流電壓等級下，它支持的開關(guān)速度是  的，一秒鐘可以開關(guān)近萬次。換言之，IGBT開關(guān)頻率可以達(dá)到10kHz級別。GTO以前也用在軌道交通列車上，但是GTO開關(guān)速度低，所以現(xiàn)在只有在  電壓電流超過IGBT承受范圍的場合才使用。IGCT本質(zhì)上也是GTO，不過結(jié)構(gòu)做了優(yōu)化，其開關(guān)速度和  電壓電流都介于GTO和IGBT之間。另一方面，比IGBT開關(guān)速度更快的是大功率MOSFET，但其支持的  電壓電流均小于IGBT。

    要這么快的開關(guān)干什么用？常見的強(qiáng)電只有50Hz的交流電，變壓器能變它的電壓，但是不能改變它的頻率，更不能把它變成直流；另一方面，光伏電站發(fā)出的直流電，也無法轉(zhuǎn)換為交流。而利用IGBT這種開關(guān)，人們可以設(shè)計出一類電路，通過控制IGBT，把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電。這類電路統(tǒng)稱電力電子電路，由電力電子電路做成的設(shè)備稱為變換器。特別的，把交流電變成直流電的電路叫做整流器，把直流電變成交流電的叫做逆變器，而直流變直流的電路其實是花樣  多的，一般直接稱為變換器。

    怎么實現(xiàn)的？需要講一下PWM（脈寬調(diào)制）的概念。這個道理可以用照明燈接觸不良時快速閃爍來類比。閃爍的燈看起來沒有正常的燈亮，這是因為閃爍的燈亮0.1秒，又滅0.1秒，總共0.2秒的時間內(nèi)它只發(fā)出了正常燈0.1秒的光能，所以顯得暗。功率電路的本質(zhì)是傳輸電能，所以也可以利用這個原理。如果用電器前0.2秒接了300V的電壓，后0.1秒接了0V的電壓，那在0.3秒內(nèi)，它就等效于用電器兩端始終接著200V的電壓。我們管這個只持續(xù)0.2秒的300V電壓叫脈沖，通過改變脈沖在0.3秒內(nèi)占據(jù)的時間（也就是脈寬），就可以實現(xiàn)等效電壓在這個時刻內(nèi)成為0~300V內(nèi)的任何一個值，所謂的脈寬調(diào)制一詞就是這么來的。電壓一高一低變化的總時間越短，從宏觀上看電壓越接近等效電壓。

如果你仔細(xì)看了上一段的說明，你會發(fā)現(xiàn)實現(xiàn)這個功能需要至少兩個開關(guān)，一個接在用電器和300V之間，一個接在用電器和0V之間。兩個開關(guān)交替導(dǎo)通才可以實現(xiàn)PWM，這和家里的電燈只有一個開關(guān)是不太一樣的。當(dāng)然，在很多應(yīng)用中，可以將其中一個開關(guān)替換為二極管，另外一個開關(guān)的通斷可以自動控制二極管的通斷。

    總之，我現(xiàn)在有了電壓、頻率都受我控制的強(qiáng)電了。這個強(qiáng)電就可以用來驅(qū)動高鐵的電機(jī)。現(xiàn)在高鐵使用的都是交流電機(jī)，它結(jié)構(gòu)簡單且省電，但是轉(zhuǎn)速很難調(diào)整。好在它的轉(zhuǎn)速和輸入交流電源的頻率有很密切的關(guān)系，所以就可以用使用IGBT的變換器搞出電壓、頻率受控的強(qiáng)電，來靈活控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。反映到高鐵上，就是高鐵列車的車速。這就是所謂的變壓變頻控制（VVVF）。

    除了高鐵，像電動汽車、變頻空調(diào)、風(fēng)力發(fā)電機(jī)等很多用到交流電機(jī)的場合，都用得到IGBT及配套的這類電路來控制電機(jī)。光伏發(fā)電、電力儲能等領(lǐng)域，主要用IGBT進(jìn)行交流電、直流電之間的轉(zhuǎn)換。

    IGBT的特點可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。

    所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導(dǎo)體或半導(dǎo)體電氣連接。門級只要出現(xiàn)一定的電壓，在半導(dǎo)體內(nèi)部形成一定的電場，就可以實現(xiàn)IGBT的導(dǎo)通。

    有了絕緣柵，在開關(guān)時，只需要在IGBT切換狀態(tài)的瞬時間內(nèi)給門級注入/抽取一點能量，改變內(nèi)部電場，就可以改變IGBT的工作狀態(tài)。這個過程很容易做的非常快速，這也是IGBT、功率MOSFET的  開關(guān)速度較高的原因之一。相比之下，普通的三極管（BJT）中，控制極需要有持續(xù)的電流才能維持導(dǎo)通，而且當(dāng)主功率電路中的電流較大時，這個電流也必須相應(yīng)地變得比較大才能支持這樣的電流。

    所謂雙極，是指IGBT導(dǎo)通時，半導(dǎo)體內(nèi)的電子和空穴兩種粒子都參與電流傳導(dǎo)。就像教科書里二極管導(dǎo)通時電壓總是0.7V一樣，利用電導(dǎo)調(diào)制現(xiàn)象，IGBT導(dǎo)通時的電壓相對于大電流不敏感。相比之下，功率MOSFET作為單極器件，其導(dǎo)通時類似一個小電阻，小電阻上的電壓和電流呈線性關(guān)系，因此當(dāng)電流超過一定程度時，功率MOSFET上消耗的電能（電壓和電流的乘積）就太大了，限制了MOSFET的  電流。另一方面，減小MOSFET中小電阻的努力會希望MOSFET的兩個功率極不要相隔太遠(yuǎn)，但這也制約了MOSFET承受電壓的能力。

    所謂晶體管，其與GTO等晶閘管有一定的區(qū)別。晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于兩個晶體管，依靠這兩個晶體管之間相互放大，實現(xiàn)了IGBT等晶體管難以實現(xiàn)的超大電流的傳導(dǎo)。但其問題在于關(guān)斷器件時，需要抽取很大的電流，讓兩個晶體管退出相互放大的狀態(tài)。這一過程需要的瞬時功率大，速度也比較慢，所以關(guān)斷晶閘管的過程會損失比較多的能量。這也是為什么GTO支持的開關(guān)頻率會明顯小于IGBT。

    IGBT結(jié)構(gòu)示意圖，可簡化為一個PNP型三極管和一個N-MOSFET的組合

    IGBT的結(jié)構(gòu)可簡化視為一個PNP型三極管和一個N-MOSFET的組合。門及信號直接控制MOSFET的通斷，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，會持續(xù)向PNP型三極管的基極抽取電流，實現(xiàn)PNP三極管的導(dǎo)通。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，會掐斷這一電流，從而關(guān)斷PNP三極管。

    IGBT是非常成功的電力電子器件之一。當(dāng)然，被IGBT一定程度取代的GTO也很成功，至今在電網(wǎng)級別的應(yīng)用中還很廣泛。相比之下，還有很多不為人知的器件都成為了歷史中的過客。不過，近年寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無需再使用更為復(fù)雜的IGBT結(jié)構(gòu)。在電動汽車、軌道交通領(lǐng)域，商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經(jīng)投入市場了。當(dāng)然，理論上碳化硅材料和IGBT結(jié)構(gòu)也是可以結(jié)合的，其電壓、電流也會上升一個等級，或有望擠占目前硅基GTO的市場。