產(chǎn)品詳情
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
陳！??！ 18.06.05.03.85.3
FOXBORO 2A8916 DIAPHRAGM TRANSMITTER
Foxboro 2A8916 Diaphragme Transmetteur en Bo?te
福博羅843DP-H2I1SS-CM 0~75KPa
FOXBORO 模塊 P0903ZE
INVENSYS P0400VR / P0400VR
INVENSYS 3C8-C3D / 3C8C3D
FOXBORO 530076TX
Foxboro I/A Series DM400YR REV-0E fBM 15 Input/Output Expander
SRD991-CDNS7EA4NR-V01 Foxboro 閥門定位器
FOXBORO FBM04 模塊 P0400YE FBM4#L
FOXBORO DM400YP FBM13 輸入擴展器
