目前，氧化亞硅(SiOx)是重要的電子和光學(xué)材料和鋰離子電池負(fù)極添加劑。傳統(tǒng)上生產(chǎn)氧化亞硅的方法是將單質(zhì)硅和二氧化硅同摩爾比例混合，然后研磨成微米量級(jí)的粉末(顆粒越小混合越均勻，相互間接越緊密越有利于反應(yīng))，再在負(fù)壓環(huán)境下加熱到1250℃以上的溫度進(jìn)行歧化反應(yīng)，溫度越高越快，這樣所形成的氧化亞硅以蒸氣的形式溢出，并被帶到壓力和溫度較低的地方并被冷凝成為氧化亞硅固體

我公司咸陽鴻峰窯爐設(shè)備有限公司較早進(jìn)入這一領(lǐng)域的廠家，與該領(lǐng)域研究的前沿科研院所長(zhǎng)期保持交流溝通，爐體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝實(shí)現(xiàn)得到了很多專業(yè)人士的認(rèn)可，西北工業(yè)大學(xué)及哈爾濱工業(yè)大學(xué)的教授都給予了很多改進(jìn)意見，經(jīng)過多年的研究創(chuàng)新，公司現(xiàn)研發(fā)的新一代真空升華設(shè)備具有設(shè)計(jì)合理，運(yùn)行穩(wěn)定，成品規(guī)格高，良率高，節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)，可規(guī)?；瘧?yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域。

該設(shè)備為咸陽鴻峰窯爐設(shè)備有限公司開發(fā)的，專業(yè)應(yīng)用于硅碳原材料一氧化硅制備的設(shè)備。

該設(shè)備主要應(yīng)用于真空升華法制備氧化亞硅

該設(shè)備溫控精度2度。

該設(shè)備溫度控制1700度以內(nèi)。

該設(shè)備升溫速率快。

該設(shè)備可以可以在真空度下保持穩(wěn)定

該設(shè)備產(chǎn)量大、能耗低、經(jīng)過業(yè)內(nèi)驗(yàn)證，做出的材料品質(zhì)良好。

設(shè)備參數(shù)

1 名稱 HF-RS-A（氧化亞硅專用升華爐）

2 爐型 臥室

3 設(shè)備組成 升華系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、機(jī)械系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)

4 升華系統(tǒng)由燒結(jié)區(qū)和收集區(qū)組成。

5 溫控系統(tǒng)采用 PLC 觸屏控制方式

6 加熱系統(tǒng)該設(shè)備采用電阻絲加熱

7 真空系統(tǒng)真空泵真空閥門及管路組成

8 機(jī)械部分區(qū)外殼采用 304 不銹鋼制作

9 冷卻系統(tǒng) 該設(shè)備配置兩段的冷卻系統(tǒng)

10 外形尺寸 1600mm*700mm*1600mm (終以設(shè)計(jì)尺寸為主)