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氮化鎵器件檢測試分析

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陜西天士立科技有限公司

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詳細參數
品牌其他型號碳化鎵
顯示形式其他測量電流類型其他
加工定制外形尺寸其他

產品詳情

氮化鎵器件檢測試分析  **  華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構

 

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA:“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNASCMA認證資質,擁有多個設備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

 

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA華則檢測主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統(tǒng)分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域,

 

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

                                                                                

服務目錄

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一、失效分析測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:開短路檢測 4

(2) 檢測項目:漏電檢測 4

(3) 檢測項目:產品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目:尺寸測量 4

(5) 檢測項目:超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目:X-ray檢測 5

(7) 檢測項目:推拉力檢測 5

(8) 檢測項目:有害物質檢測 5

(9) 檢測項目:剖面分析 5

(10) 檢測項目:樣品開封 5

二、電學檢測 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:直流參數 6

(2) 檢測項目:雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目:開關時間(器件級) 6

(5) 檢測項目:開關時間(模塊級) 6

(6) 檢測項目:反向恢復(模塊級) 6

(7) 檢測項目:反向恢復(器件級) 6

(8) 檢測項目:柵極電荷(模塊級) 7

(9) 檢測項目:柵極電荷(器件級) 7

(10) 檢測項目:短路耐量能力(模塊級) 7

(11) 檢測項目:短路耐量能力(器件級) 7

(12) 檢測項目:結電容 7

(13) 檢測項目:熱阻性能(器件級) 7

(14) 檢測項目:熱阻性能(模塊級) 7

(15) 檢測項目:參數曲線掃描 8

(16) 檢測項目:ESD能力 8

(17) 檢測項目:正向浪涌能力 8

三、應用系統(tǒng)檢測 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:電氣參數 9

(2) 檢測項目:保護功能測試 9

(3) 檢測項目:元器件應力測試 9

(4) 檢測項目:電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目:絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目:接地電阻測試 10

(7) 檢測項目:低溫測試 10

(8) 檢測項目:高溫測試 10

(9) 檢測項目:高加速壽命/應力測試 10

(10) 檢測項目:靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目:雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目:電源端子騷擾電壓/傳導測試 11

四、可靠性測試 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項目:高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目:低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目:低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目:高低溫循環(huán)試驗(TC) 12

(6) 檢測項目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目:無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目:預處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目:高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目:高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目:高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目:高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目:間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目:高加速應力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目:高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目:潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目:可焊性試驗(Solderability) 14

一、失效分析測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:開短路檢測

覆蓋產品:IC

檢測能力:滿足128pin及以下引腳ICopen/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試;Max電壓7V,電壓精度1mV,Max電流 500mA,電礪度 10nA;

? 執(zhí)行標準:客戶要求

(2) 檢測項目:漏電檢測

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力:具有EMMI (微光)TIVA (激光誘導)兩種偵測方 式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度 10fA;加電方式BMax電壓3000V,Max電流5A。

? 執(zhí)行標準:客戶要求

(3) 檢測項目:產品外觀或形貌確認

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數碼成像/Max6000倍;

? 執(zhí)行標準:客戶要求

(4) 檢測項目:尺寸測量

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數碼成像/Max6000倍;

? 執(zhí)行標準:客戶要求

(5) 檢測項目:超聲波檢測(SAT)

覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力∶具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行A-scan(點掃描)、B-scan(縱向掃描)、 C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。

執(zhí)行標準GuoJun

(6) 檢測項目:X-ray檢測

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力:High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能??蛇M行二維掃描、三維CT掃描。

執(zhí)行標準:GuoJun

(7) 檢測項目:推拉力檢測

覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力∶支持WP100WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KGDS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。

執(zhí)行標準GuoJun

(8) 檢測項目:有害物質檢測

覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力∶ 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價鉻(Cr6+)、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達2ppm

執(zhí)行標準IEC

(9) 檢測項目:剖面分析

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

? 檢測能力:金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

? 執(zhí)行標準:客戶要求

(10) 檢測項目:樣品開封

覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品

檢測能力:激光開封、化學開封、樣品剝層。

? 執(zhí)行標準:客戶要求

二、電學檢測·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:直流參數

覆蓋產品:MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品;

檢測能力:檢測Max電壓7500V檢測Max電流6000A

執(zhí)行標準:國標,IEC

(2) 檢測項目:雪崩能量

覆蓋產品:MOSFET、IGBTDIODE,第三代半導體器件等單管器件

檢測能力:檢測Max電壓2500V檢測Max電流200A

? 執(zhí)行標準:美軍標

(3) 檢測項目∶柵極電阻

覆蓋產品MOSFET、IGBT及第三代半導體器件

檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω~50Ω

執(zhí)行標準JEDEC

(4) 檢測項目:開關時間(器件級)

覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE及第三代半導體單管器件;

檢測能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC

(5) 檢測項目:開關時間(模塊級)

覆蓋產品:IGBT等模塊產品

檢測能力:檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

執(zhí)行標準:國標,IEC

(6) 檢測項目:反向恢復(模塊級)

覆蓋產品:IGBT等模塊產品

檢測能力:檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

執(zhí)行標準:國標,IEC

(7) 檢測項目:反向恢復(器件級)

覆蓋產品:MOSFET、IGBTDIODE及第三代半導體器件等單管器件

檢測能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC

(8) 檢測項目:柵極電荷(模塊級)

覆蓋產品:IGBT等模塊產品

檢測能力:檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

執(zhí)行標準:國標,IEC

(9) 檢測項目:柵極電荷(器件級)

覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

檢測能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC

(10) 檢測項目:短路耐量能力(模塊級)

覆蓋產品:IGBT等模塊產品

檢測能力:檢測Max電壓2700V,檢測Max電流10000A

執(zhí)行標準:國標,IEC

(11) 檢測項目:短路耐量能力(器件級)

覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

檢測能力:檢測Max電壓1200V,檢測Max電流1000A;

執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC

(12) 檢測項目:結電容

覆蓋產品:MOSFET、IGBT及第三代半導體單管器件

檢測能力:檢測Max電壓3000V

執(zhí)行標準:IEC

(13) 檢測項目:熱阻性能(器件級)

覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCR,第三代半導體單管器件

檢測能力:功率250W

執(zhí)行標準:美軍標,JEDEC

(14) 檢測項目:熱阻性能(模塊級)

覆蓋產品:IGBT等模塊產品

檢測能力:Max功率4000W

執(zhí)行標準:美軍標,JEDEC

(15) 檢測項目:參數曲線掃描

覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

檢測能力:檢測Max電壓3000V檢測Max電流1500A溫度-70°C~180°C

執(zhí)行標準:美軍標,IEC

(16) 檢測項目:ESD能力

覆蓋產品:MOSFETIGBT、IC等產品

檢測能力:HBMMax電壓8000V;MMMax電壓800V

執(zhí)行標準:美軍標,ANSI,JEDEC

(17) 檢測項目:正向浪涌能力

覆蓋產品:DIODE (Si/SiC)、整流橋;

檢測能力:Max電流800A

? 執(zhí)行標準:美軍標,國標

三、應用系統(tǒng)檢測·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:電氣參數

覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

檢測能力:低壓AC/DC電源:單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA;Max輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW;Max輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA;Max輸出電壓/功率:700V/30KW;電機控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

 

(2) 檢測項目:保護功能測試

覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

檢測能力:低壓AC/DC電源:單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA;Max輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW;Max輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVAMax輸出電壓/功率:700V/30KW;電機控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(3) 檢測項目:元器件應力測試

覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。

檢測能力:Max峰值電壓:1.5KV;Max有效值/峰值電流:30A/50AHigh溫度:260°C

? 執(zhí)行標準:元器件規(guī)格,客戶要求等

(4) 檢測項目:電氣/抗電強度測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA;直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(5) 檢測項目:絕緣電阻測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:(100~1K)Vdc/9999mΩ

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(6) 檢測項目:接地電阻測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:30A/600mΩ

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(7) 檢測項目:低溫測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:Mini溫度:-70

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(8) 檢測項目:高溫測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:High溫度:~180

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

(9) 檢測項目:高加速壽命/應力測試

覆蓋產品∶電子電氣產品

檢測能力∶溫度范圍∶(-100+200)℃℃;溫度上升速率∶平均(70°~100°)C/m; 加速∶(5-60gRMS (空臺)

執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等

(10) 檢測項目:靜電放電抗擾度測試

覆蓋產品∶電子電氣產品

檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶(±2~±8KV空氣靜電放電電壓范圍∶(±2~±25KV

執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等

(11) 檢測項目:雷擊浪涌抗擾度測試

覆蓋產品∶電子電氣產品

檢測能力1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶(0.2510KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶(06KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等;

(12) 檢測項目:電源端子騷擾電壓/傳導測試

? 覆蓋產品:電子電氣產品

檢測能力:9KHz~ 30MHz

執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

四、可靠性測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:功率循環(huán)齷 (PC)

覆蓋產品IGBT模塊

檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A,12V

執(zhí)行標準IEC 客戶自定義

(2) 檢測項目:高溫門極試驗(HTGB)

覆蓋產品MOSFET、SiC MOS等單管器件

檢測能力∶溫度High150;電壓High2000V

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(3) 檢測項目:低溫工作壽命試驗(LTOL)

覆蓋產品MOSFET、IGBT、DIODE、BJTSCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(4) 檢測項目:低溫儲存試驗(LTSL)

覆蓋產品MOSFET、IGBT、DIODE、BJTSCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度Mini-80

執(zhí)行標準∶ 美軍標,國標,JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(5) 檢測項目:高低溫循環(huán)試驗(TC)

覆蓋產品MOSFET、IGBT、IDIODEBJT、SCR、ICIGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度范圍∶-80~220

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(6) 檢測項目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)

覆蓋產品MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶△Tj100℃,電壓電流Max48V,10A

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(7) 檢測項目:無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)

覆蓋產品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(8) 檢測項目:預處理試驗(Pre-con)

覆蓋產品∶所有SMD類型器件

檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(9) 檢測項目:高溫反偏試驗(HTRB)

覆蓋產品MOSFET、IGBTDIODE、BJTSCR,第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶溫度High150; 電壓High2000V

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(10) 檢測項目:高溫工作壽命試驗(HTOL)

覆蓋產品MOSFET、IGBT、DIODE、BJTSCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶溫度High150℃,電壓High2000V

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(11) 檢測項目:高溫儲存試驗(HTSL)

覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCRIC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度High150;

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(12) 檢測項目:高溫高濕試驗(THB)

覆蓋產品MOSFET、IGBT、DIODEBJT、SCRIC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(13) 檢測項目:間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)

覆蓋產品MOSFET、DIODE、BJTIGBT及第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶△Tj100℃ 電壓電流Max48V,10A

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(14) 檢測項目:高加速應力試驗(HAST)

覆蓋產品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶ 溫度130/110℃ 濕度85%

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(15) 檢測項目:高溫蒸煮試驗(PCT)

覆蓋產品MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

檢測能力∶溫度121℃ 濕度1

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(16) 檢測項目:潮氣敏感度等級試驗(MSL)

覆蓋產品∶所有SMD類型器件

檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(17) 檢測項目:可焊性試驗(Solderability)

覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODE、BJTSCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

 

五、其它測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

 

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA:“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNASCMA認證資質,擁有多個設備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

 

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA華則檢測主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統(tǒng)分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域,

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