產(chǎn)品詳情
晶體缺陷包括體內(nèi)和表面缺陷,體內(nèi)缺陷包括位錯和層錯。
位錯通常由襯底中的位錯延伸而成,harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R當襯底表面存在機械損傷,片子在升降溫過程中遭受巨大熱沖擊時,就會在晶體內(nèi)產(chǎn)生大量位錯,因此應該避免襯底硅片機械劃傷和襯底不均勻升降溫。位錯的檢驗方法有鉻酸化學腐蝕法、紅外顯微鏡直接觀察法、X射線衍射形貌照相法和掃描電子顯harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R微鏡分析法等。
層錯有外延層錯和熱氧化層錯兩種。當襯底表面存在劃痕harmonic顯微鏡裝配諧波CSF-11-30-2A-R、雜質(zhì)沾污、氧化物或局部雜質(zhì)積累,而外延時晶核恰巧在這些不均勻區(qū)域內(nèi)長大,就會破壞襯底原來的晶格原子的規(guī)則排列,造成外延層和襯底間的晶格失配