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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

數(shù)量(臺(tái)) 價(jià)格
10000 1000.00元/臺(tái)
  • 最小起訂: 1臺(tái)
  • 發(fā)貨地址: 湖北 武漢市
  • 發(fā)布日期:2022-07-15
  • 訪問量:1066
咨詢電話:181-4066-3476
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武漢普賽斯儀表有限公司

實(shí)名認(rèn)證 企業(yè)認(rèn)證
  • 聯(lián)系人:陶女士
  • 手機(jī):18140663476
  • 電話:027--87993690
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核 營(yíng)業(yè)執(zhí)照
  • 經(jīng)營(yíng)模式: 生產(chǎn)加工-其他有限責(zé)任公司
  • 所在地區(qū):湖北 武漢市
  • 家家通積分:846分
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詳細(xì)參數(shù)
品牌普賽斯型號(hào)PMST
測(cè)量范圍漏電流測(cè)試量程1uA~100mA測(cè)量精度0.1%
分辨率30uV/10pA用途功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
加工定制重量50KG
產(chǎn)地武漢

產(chǎn)品詳情


國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀簡(jiǎn)介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFETBJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

       功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)具有友好的上位機(jī)操作界面,被測(cè)參數(shù)以建立工程形式進(jìn)行測(cè)量,用戶可以配置工程中的相關(guān)參數(shù)。支持單獨(dú)測(cè)試功率器件某一項(xiàng)靜態(tài)參數(shù)及一鍵測(cè)試已建立工程的靜態(tài)參數(shù),可自動(dòng)導(dǎo)出測(cè)試數(shù)據(jù),提高測(cè)試效率。

       功率器件靜態(tài)參數(shù)主要包括I-V特性、C-V特性等,普賽斯作為源表研發(fā)生產(chǎn)廠家,以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源光伏,風(fēng)電,軌交變頻器等場(chǎng)景。

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

  • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

  • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

  • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

  • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

  • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

  • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

  • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

  • 可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);

     

    技術(shù)指標(biāo)

PMST系統(tǒng)配置

關(guān)鍵參數(shù)

備注

P系列
脈沖源表

PW高達(dá)30V/10A、300V/1A

柵極特性測(cè)試

CW高達(dá)300V/0.1A、30V/1A

最小脈沖寬度200uS

HCP系列
大電流脈沖源表

PW高達(dá)30V/100A

IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓測(cè)試

CW高達(dá)10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脈沖寬度80uS

HCPL系列
高電流脈沖電流源

單臺(tái)PW高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián)

最小脈沖寬度50uS

E系列
高電壓源測(cè)單元

CW高達(dá)3000V/100mA

IGBT擊穿電壓測(cè)試

最小分辨率10mV/100pA

測(cè)量精度 0.1%

電橋

頻率范圍:20Hz~1MHz

IGBT各級(jí)間電容測(cè)試

HVP系列提供0~400V直流偏置電壓
S系列提供0~30V直流偏置電壓

預(yù)置偏置電阻100kΩ

矩陣開關(guān)

/

電路切換及源表切換

主機(jī)

/


測(cè)試夾具

根據(jù)器件封裝形式定制


系統(tǒng)具體配置由用戶自行選擇,以車規(guī)IGBT為例,一般配置如下:


國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀訂貨信息


產(chǎn)品應(yīng)用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBTSIC、GaN


國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀優(yōu)勢(shì)

單臺(tái)Z大3000V輸出;

單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;

10us的超快電流上升沿;

同步測(cè)量;

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試;


溫馨提示

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