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吸水作業(yè)灑水車

（1）灑水車盡量接近作業(yè)點(diǎn)，駐車。

（2）打開走臺箱邊門，取出吸水膠管，使之向后擺動，無彎折現(xiàn)象。

（3）.將吸水膠管盡可能深的抽入水中，保證管端在作業(yè)過程中始終距液面300mm以下。

（4）.將四通閥手柄推至與地面垂直。

（5）.將變速器掛入空擋，然后起動發(fā)動機(jī)，分離離合器，將取力器開關(guān)向后拉即掛檔取力，泵開始運(yùn)轉(zhuǎn)。

（6）操作員可通過后封頭上部的觀察鏡，當(dāng)液面達(dá)到觀察鏡中部時(shí)，應(yīng)通知駕駛員，同事應(yīng)迅速將吸水膠管拉離水面或關(guān)閉四通閥。

這些工具都可以提供基本的自動化功能和遍歷功能（用戶從有限數(shù)量的選項(xiàng)中選擇）。但實(shí)際上，設(shè)計(jì)聊天機(jī)器人真正的挑戰(zhàn)，是如何響應(yīng)用戶使用的各種語言：據(jù)報(bào)道，Slack的會議安排機(jī)器人MeeKan需要超過2000個(gè)語句來處理一個(gè)會議請求。有了這些工具，創(chuàng)建簡單的機(jī)器人就容易多了，你也可以用IFTTT或Zapier來創(chuàng)建自動機(jī)器人，將RSS訂閱源或Google電子表格連接到Slack、Twitter或其他平臺上。

（7）收起膠管后，將其放回走臺箱，關(guān)好邊門。

（8）將灑水車駛離抽水地點(diǎn)。

（1）將四通閥門后柄拉至與地面平行，打開想要噴灑的球閥（前沖、后灑、側(cè)噴、花灑），然后起動發(fā)動機(jī)，將變速器掛入擋位，將取力器開關(guān)向后拉即掛檔取力，然后分離離合器，泵開始運(yùn)轉(zhuǎn)，開始灑水

（2）罐體內(nèi)的水灑完后，駕駛應(yīng)及時(shí)將取力器操縱柄向前推即脫檔，灑水泵停止運(yùn)轉(zhuǎn)。

[2] 工作原理編輯灑水車是利用本車發(fā)動機(jī)動力通過取力器驅(qū)動車載灑水泵，從進(jìn)水口向本車加水或者將罐體中的水通過管道輸送到各個(gè)噴頭，從而實(shí)現(xiàn)各種功能。灑水泵工作前，泵內(nèi)的液體存量必須高于泵軸，因此泵進(jìn)口處必須接一個(gè)向上彎的彎管再接一個(gè)水平管和快速接頭，快速接頭中心線必須高于泵軸中心線300毫米；

富士康目前已經(jīng)裝備了超過4萬臺機(jī)器人,它們被部署在公司的各個(gè)生產(chǎn)流程環(huán)節(jié)當(dāng)中。2011年時(shí)候,郭臺銘就曾在多個(gè)場合拋出了機(jī)器人計(jì)劃,要在三年內(nèi)用一百萬臺機(jī)器人改良富士康的生產(chǎn)線。雖然目前尚沒有“百萬”那么雄偉,不過已經(jīng)投入的四萬的數(shù)目已經(jīng)足以讓人震撼了。機(jī)器人戰(zhàn)略是時(shí)代給富士康、制造業(yè)的一個(gè)轉(zhuǎn)型機(jī)遇。它是道路卻十分坎坷,它是難題卻又無法拒絕。富士康做好了姿態(tài),也邁開了步子,在它的車間和線上,你會意識到未來會發(fā)生什么。

進(jìn)口管路系統(tǒng)必須保證不漏氣；吸水管的吸入頭必須浸沒于水下，以免空氣吸入水管；出口管道與泵出口連接時(shí)必須保證直管長度≥200毫米后再接彎管。灑水泵采用外混式自吸結(jié)構(gòu)，泵內(nèi)應(yīng)存有適量的液體

泵啟動后，葉輪旋轉(zhuǎn)，葉輪進(jìn)口處形成負(fù)壓，吸入管路中的氣體與泵內(nèi)液體混合，通過壓出室進(jìn)入氣液分離室。由于氣液的比重差，氣體從液體中分離出來，從出口管中排出，液體在氣液分離室中下沉，經(jīng)多次循環(huán)，直到吸入管內(nèi)的氣體排凈而充滿液體，完成自吸過程，泵開始正常輸液。灑水泵可起到吸水和加壓排水功能，自吸泵可將池塘的水直接吸入罐體內(nèi)，也可直接從城市街道的消防栓上連接注水，吸入罐體內(nèi)進(jìn)行灑水作業(yè)。

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為什么三星的14納米會不如臺積電的16納米制程的另一個(gè)原因，在于FinFET(鰭式場效應(yīng)電晶體)先進(jìn)制程上的命名慣例被三星打破。當(dāng)初臺積電剛采用立體設(shè)計(jì)的FinFET工藝時(shí)，原本計(jì)畫按照與Inb一致的測量方法、稱為20納米FinFET，因?yàn)樵摯瞥痰木€寬與前一代傳統(tǒng)半導(dǎo)體2D平面工藝20納米的線寬差不多。但三星搶先命名為「14納米」，為了不在宣傳上吃虧，臺積電改稱為「16納米」。事實(shí)上，三星與臺積電皆可稱為「20納米FinFET」。