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IGBT西門(mén)康SEMIX353GD176HDC直銷(xiāo)

數(shù)量(個(gè)) 價(jià)格
9999 3100.00元/個(gè)
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上海萱鴻電子科技有限公司

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  • 經(jīng)營(yíng)模式: 經(jīng)銷(xiāo)商-其他有限責(zé)任公司
  • 所在地區(qū):上海 松江區(qū)
  • 家家通積分:14241分
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詳細(xì)參數(shù)
品牌西門(mén)康型號(hào)齊全
用途激勵(lì)、驅(qū)動(dòng)封裝外形螺絲型
材料IGBT絕緣柵比極相數(shù)多相
控制方式其他主電路形式其他
頻率高頻加工定制
導(dǎo)電溝道其他導(dǎo)電方式其他
極間電容詳詢(xún)開(kāi)啟電壓詳詢(xún)
夾斷電壓詳詢(xún)最大漏極電流詳詢(xún)
低頻噪聲系數(shù)詳詢(xún)最大散熱功率詳詢(xún)
產(chǎn)品認(rèn)證3C產(chǎn)地德國(guó)

產(chǎn)品詳情

近年來(lái),新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT已逐漸被人們所認(rèn)識(shí),IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)形式,是絕緣柵雙極型晶體管。與以前的各種電力電子器件相比,IGBT具有以下特點(diǎn):

①高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線路;

②高速開(kāi)關(guān)特性,導(dǎo)通狀態(tài)低損耗。

IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看作導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)作開(kāi)路。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,是一種適合于中、大功率應(yīng)用的電力電子器件,IGBT在綜合性能方面占有明顯優(yōu)勢(shì),非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)闹饕骷?,是電力電子裝置的“CPU”。IGBT是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看作導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)作開(kāi)路。三大特點(diǎn)就是高ya、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件,不同公司的IGBT。

采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)bao的特點(diǎn),是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域很廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,航天領(lǐng)域的飛機(jī)、艦艇以及新能源領(lǐng)域的新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等都有非常廣的應(yīng)用。

IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的主要技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%,占充電樁成本約20%。IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面:

①電動(dòng)控zhi系統(tǒng):大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動(dòng)汽車(chē)電機(jī),車(chē)載空調(diào)控zhi系統(tǒng);

②小功率直流/交流(DC/AC)逆變,使用電流較小的IGBT和FRD;

③充電樁:智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用。

IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi)。高yaIGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),如燒結(jié)取代焊接,壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù);內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件,不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

上海萱鴻電子提供SKM145GB124DE富士IGBT模塊,晶閘管等,上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊。

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