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可控硅西門康SKKT273/16E可控硅模塊

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蘇州銀邦電子科技有限公司

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導(dǎo)電溝道其他導(dǎo)電方式其他
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產(chǎn)品詳情

蘇州銀邦電子技有限公司:

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 常見的用于整流橋輸人方式的升壓PFC電路承受了很高的傳導(dǎo)損耗,用無整流橋的升壓技術(shù)能夠取得更高的效率,這種新電路包含了電壓檢測、電流檢測。結(jié)果表明,這種電路能夠?qū)π屎虴MI有很大改善。

  -、簡介

  由于單開關(guān)的CCM 方式PFC結(jié)構(gòu)簡單, EMI濾波器外形小巧而被廣泛應(yīng)用。此電路在小功率范圍內(nèi)有較低的效率,因為它有很高的導(dǎo)通抿耗和開關(guān)損耗。隨著結(jié)型MOSFET和肖特基二極管的不斷發(fā)展,PFC電路的開關(guān)損耗已經(jīng)有顯著的減小。同時,該電路也存在整流橋的正向壓降帶來的高導(dǎo)通損耗,特別是在低電壓輸入時。

  為了減小整流橋的導(dǎo)通損耗,使不同的電路拓撲都相應(yīng)得到發(fā)展。根據(jù)這些拓撲,無整流橋的升壓技術(shù)不需要寬范圍的開關(guān),它展現(xiàn)出結(jié)構(gòu)簡單和很高的性能。

  這種無整流橋的PFC電路,輸人端沒有整流橋,因雨有很低的導(dǎo)通損耗。盡管此電路結(jié)構(gòu)筒單,但升壓電感的位置在AC的一側(cè),導(dǎo)致很難檢測AC邊的線電壓和電感電流。

  與此同時,由于AC邊電感結(jié)構(gòu)造成對應(yīng)線路輸入而言的輸出浮動,此電路伴有很高的共模噪聲。

  與平均電流型控制相比, One Cycle控制技術(shù)展示出很多優(yōu)點,它不需要乘法器夕不靄要輸人電壓檢測,也不需要電感電流檢測。因此,One Cycle控制的無整流橋PFC電路是非常有吸引力的。

  在此文中,One Cycle控制技術(shù)是在無整流橋 PFC電路的應(yīng)用。關(guān)于電壓檢測和電流檢測在無整流橋PFC fifig One Cycle 控制技術(shù)中得以解決,具有很高的效率和很好的功率因數(shù)校正功能,同時,對EMI也有很好的控制。

  二、無整流橋的PFC電路

  無整流橋PFC 電路如圖1所示,在AC邊設(shè)置相互分離的升壓電感組成一種升壓結(jié)構(gòu)。無整流橋PFC等效電路如圖2 所示。對于此半周期,MOSFET VI和升壓二極管VD1再加上升電感一起構(gòu)成了一個升壓DC/DC變換器。同時,MOSFET 相當(dāng)于一個普通的二極管來工作。輸人電流和輸人電壓都由此升壓變換器控制。

  在另外半個周期,工作原理是一樣的。因此,在每半個周期,其中一個MOSFET作為有源開關(guān)工作,另外一個MOSFET作為二極管工作。這兩個MOSFET的驅(qū)動信號相同。

  無整流橋PFC與普通PFC 的區(qū)別見表1。在同一時刻,比較這兩個電路的傳導(dǎo)通道,無整流鞒的PFC電感電流僅僅通過這兩個半導(dǎo)體器件,而普通PFC 電路的電感電流則通過3個半導(dǎo)體器件。

  表1所示,無整流轎的PFC用一個MOSFET的體二極管來代替普通PFC 電路的兩個較慢恢復(fù)二極管。曲于這兩個電路都作為升壓變換器,因此它們的開關(guān)損耗是一樣的。

  在這兩個電路中,盡管效率都有所改善,但導(dǎo)通損耗是不同的。與普通的PFC相比,無整流橋的PFC不僅減低了導(dǎo)通損耗,而且減少了元器件

  為了估計無整流橋PFC電路效率的提高,戍原理分析比較其損耗。此電路選開關(guān)是一個22A, 600V的結(jié)型MOSFET,升壓二極管選擇的是GBPC2506W, 25A、600V,用這些器件導(dǎo)通損耗模型的方法畫出這些器件的導(dǎo)通損耗曲線。由于電感電流是瞬時的,只能畫出這兩種器件在90V輸人電壓和不同輸出功率下的導(dǎo)通損耗曲線。兩種PFC 電路二極管抿耗比較如圖3所示。

  對于整個功率范圍,無整流橋的PFC在滿功率的水平能將總效率提高1 %??紤]到 MOSFET 的導(dǎo)通電阻很小,用同步整流方式的MOSFET,可以進一步減小損耗。MOSFET -B通損耗的*估是基于其較低的體二極管壓降和導(dǎo)通電阻。兩種 PFC 電路MOS損耗比較如圖4所示,這兩種情況的功率損耗相似。

  盡管同步整流器在低功率時對損耗有少量改善,在MOSFET 溫度升高后,這種改善隨之消失。因為溫度升高,其導(dǎo)通電阻也隨之增大,由于同步整流器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,所以不宜采納。

  三、無整流橋PFC電路提出的挑戰(zhàn)

  如圖1 所示,無整流橋PFC電路中沒有輸人的橋式整流二極管,其升壓電感是放置在AC邊。由于電路的輸人、輸出沒有直接相連,因此,無整流橋PFC電路有輸人電壓檢測、電流檢測和抗EMI電路。   :

  電壓檢測和電流檢測相關(guān)連去控制無整流橋PFC電路。對于普通的PFC電路,有幾種不同的控制方法己經(jīng)得到開發(fā),例如平均電流型控制、峰值電流型控制、One Cycle控制。

  平均電流型控制是普遍用的控制方法,因為它性能優(yōu)越且易掌握??刂破靼演斎穗妷盒盘柡碗妷涵h(huán)內(nèi)輸出電壓信號的乘積作為電流基準(zhǔn),同時,電流環(huán)用來控制電感平均電流,兩者的誤差放大信號送到 PWM。

  One Cycle控制技術(shù)為:控制器用電壓環(huán)的輸出龜壓和電感峰值電流來計算每一個開關(guān)周期的占空比。由于占空比是根據(jù)升壓咆路的輸人和輸出電壓的關(guān)系來計算,盡管完成了率因數(shù)校正,電感電流的峰值也自動地隨著輸人電壓而形戚。

  1、輸入電壓檢測

  對于傳統(tǒng)的PFC電路,輸人電壓檢測是簡單的,因為整流橋的存在,利用分壓原理, 被整流的輸入電壓能夠直接被分壓器檢測到,如圖5所示。

  對于無整流橋PFC電路,困為沒有整流橋就沒有地方可以用分壓去檢測輸入電壓。一個線路頻率變壓器就是一個簡單的檢測電壓工具,如圖6所示。對于一個龐大且成本很高的低頻變壓器,就就效率的設(shè)計而言是不可取的。

  作為電壓檢測,光耦器件檢測也是一種好方法,因為它具有隔離特性,如圖7所示。與普通分壓檢測相比,為了獲得較低畸變的電壓,寬電流范圍的高線性光耦器件并不實際也更加復(fù)雜。

  對于平均電流型控制,電感電流作為基準(zhǔn)是基于被檢測的輸人電壓,輸入電壓檢測是很有必要的,但相應(yīng)的成本很高,變換器也很龐大。

  One Cycle控制技術(shù)已相當(dāng)成熟,它是通過峰值電感電流和電壓環(huán)的輸出電壓共同作用,從而沒有必要作輸人電壓的檢測。

  普通的PFC電路,電壓檢測簡單,從而造成One Cycle控制技術(shù)的優(yōu)點不是很明顯。無整流橋PFC 電路,其電壓檢測復(fù)雜,因此One Cycle控制技術(shù)優(yōu)勢更加明顯。

  2、電流檢測

  傳統(tǒng)的PFC電路,電感電流檢測很簡單。在電感電流回路放置一個分流電阻,利用共地控制來檢測電感電流,如圖8所示,對于電流檢測不需要隔離。

  對于無整流橋PFC電路,作為輸出,電感回路不能共用一個地。因此,需要用隔離的方法來檢測。和電壓檢測一樣,一個60Hz的電流型變壓器就可以直接解決電流檢測的問題。

  通常一個低頻變壓器電流信號相位的延遲會造成率因數(shù)的降低。

  另一個隔離的辦法是利用差模放大器,如圖9所示。由于此PFC 電路的開關(guān)是一個高頻、高輸出電壓的開關(guān),因而有很高的共模電壓,將給電流信號中帶來很大的噪聲。這個檢測電流的電壓將功率損耗減到很小,而電流噪聲則會降低功率因數(shù)。另外,和分流電阻的方法相比,差模放大器的成本很高。

  換一種方法,電感電流能夠用功率開關(guān)和升壓二極管翹流重新模擬出來。為了檢測電流,由于有不同的電感電流傳導(dǎo)通道,總共需要設(shè)置3個電流互感器。

  如圖10示,給出了這3個互感器的位置,用3個檢測電流的和,重新模擬產(chǎn)生輸人電流。

  對于平均電流型控制,作為電流環(huán),電感的平均電流是需要的。但是,對于OneCycle控制技術(shù),電流檢測僅僅需要電感峰值電流,因此,電流檢測能夠被簡化。

  用兩個同型號的電流互感器和開關(guān),電感峰值電流則很容易檢測。同時,電流互感器的使用也能夠減少分流咆阻所帶來的功率損耗。和電壓檢測一樣,這種簡單的電流檢測辦法,用One Cycle控制比普通的PFC電路控制更具吸引力。

  EMI 噪聲取泱于電源功率級的結(jié)構(gòu)。普通的PFC電路,輸出電壓的地總是通過整流橋和輸入線路相連,因此在MOSFET 的漏與地之間的寄生電容造成了主要的共模噪聲,如圖11所示。

  對于無整流橋PFC電路,與輸人線路相關(guān),輸出電壓總是浮動的。因此,不僅MOSFET 的漏與地之閫的寄生電容Cd1和Cd2。所有輸出端和地之間的寄生電容CN和CP都造成共模噪聲,如圖12所示。

  無橋PFC 寄生電容上的電壓如圖13所示。由MOSFET漏和地之間的寄生電容Cd1和Cd2上的dv/dt可以看出,VCd1和VCd2是反極性的。

  精心的設(shè)計寄生電容會在很太程度上抑制噪聲。由輸出端到地之間的寄生電容Cn和Cp,產(chǎn)生的dv/dt可以看出,VN和VP是同極性的,也就是沒有辦法消除噪聲。

  考慮到這些電容不僅包括PFC電路輸出級的寄生電容,還包括輸入負載的那部分寄生電容,與普通PFC電路相比,無整流橋PFC電路的共模噪聲情況更糟。

  為了解決EMI的噪聲問題,介紹一種新的無整流橋PFC 電路來減少EMI 噪聲的技術(shù),如圖14所示。與原來的無整流橋PFC 電路相比,在輸出電壓到AC端輸人線路之間建立的高頻通道上,增加了兩個電容。

  四、實驗結(jié)果

  基于上述的分析,無整流橋PFC電路的One Cycle控制既簡化了電路,又提高效率。One cycle的控制方法更適合無整流橋的PFC電路。

  用IR1150S控制器設(shè)計了一個500W、100kHz開關(guān)頻率,通用的線路輸入,OneCycle控制無整流橋PFC 電路。選用600V、22A的結(jié)型MOSFET和600V、4A的SiC二極管。另外,用同樣的元器件設(shè)計了一個普通的PFC電路作為比較參照。

  輸人電壓和電流波形如圖15所示。輸入電壓和龜流基本同相位。因此,用OneCycle控制的功率因數(shù)得到很好的校正。在90V輸人電壓時,兩種PFC電路的效率比較如圖16所示。

  在整個功率范圍內(nèi),其效率和理論分析是一致的,提高了1%。在滿載輸出功率和不同輸入線路中,功率因數(shù)的比較如圖17所示。結(jié)果表明,在整個輸人線路中,用One Cycle控制的功率因數(shù)較高。無整流橋PFC電路和普通 PFC電路對EMI性能測試的比較,如圖18和圖19所示。測試結(jié)果表明,在低頻段,這兩種電路的噪聲相似。盡管在高頻段,無整流橋PFC電路的噪聲略高一些,但也是可以控制的。

  五、結(jié)論

  無整流橋PFC技術(shù)大大降低了輸入整流器的導(dǎo)通損耗,提高了效率,效率提高了1%。

  至于輸入電壓和電流檢測,在增加成本和增繁電路的情況下提高了效率,同時也增加 EMI噪聲。

  One Cycle控制不需要輸入線路的檢測,它是通過峰值電流的模式而工作的,從而使電路簡化,性能優(yōu)越。至于EMI,用無整流橋技術(shù)的修訂版也得到改善。

  測試結(jié)果表明,One Cycle控制方式提高了功率因數(shù),簡化了電路,同時,和普通PFC電路相比,提高了近1%的效率。

  盡管無整流橋PFC電路顯示出了較高的EMI曲線,但和普通的PFC電路EMI是相似的,所以無橋PFC的EMI應(yīng)該是可以解決的。

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