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蘇州銀邦電子科技有限公司

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 常見(jiàn)的用于整流橋輸人方式的升壓PFC電路承受了很高的傳導(dǎo)損耗,用無(wú)整流橋的升壓技術(shù)能夠取得更高的效率,這種新電路包含了電壓檢測(cè)、電流檢測(cè)。結(jié)果表明,這種電路能夠?qū)π屎虴MI有很大改善。

  -、簡(jiǎn)介

  由于單開(kāi)關(guān)的CCM 方式PFC結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單, EMI濾波器外形小巧而被廣泛應(yīng)用。此電路在小功率范圍內(nèi)有較低的效率,因?yàn)樗泻芨叩膶?dǎo)通抿耗和開(kāi)關(guān)損耗。隨著結(jié)型MOSFET和肖特基二極管的不斷發(fā)展,PFC電路的開(kāi)關(guān)損耗已經(jīng)有顯著的減小。同時(shí),該電路也存在整流橋的正向壓降帶來(lái)的高導(dǎo)通損耗,特別是在低電壓輸入時(shí)。

  為了減小整流橋的導(dǎo)通損耗,使不同的電路拓?fù)涠枷鄳?yīng)得到發(fā)展。根據(jù)這些拓?fù)?,無(wú)整流橋的升壓技術(shù)不需要寬范圍的開(kāi)關(guān),它展現(xiàn)出結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和很高的性能。

  這種無(wú)整流橋的PFC電路,輸人端沒(méi)有整流橋,因雨有很低的導(dǎo)通損耗。盡管此電路結(jié)構(gòu)筒單,但升壓電感的位置在AC的一側(cè),導(dǎo)致很難檢測(cè)AC邊的線電壓和電感電流。

  與此同時(shí),由于AC邊電感結(jié)構(gòu)造成對(duì)應(yīng)線路輸入而言的輸出浮動(dòng),此電路伴有很高的共模噪聲。

  與平均電流型控制相比, One Cycle控制技術(shù)展示出很多優(yōu)點(diǎn),它不需要乘法器夕不靄要輸人電壓檢測(cè),也不需要電感電流檢測(cè)。因此,One Cycle控制的無(wú)整流橋PFC電路是非常有吸引力的。

  在此文中,One Cycle控制技術(shù)是在無(wú)整流橋 PFC電路的應(yīng)用。關(guān)于電壓檢測(cè)和電流檢測(cè)在無(wú)整流橋PFC fifig One Cycle 控制技術(shù)中得以解決,具有很高的效率和很好的功率因數(shù)校正功能,同時(shí),對(duì)EMI也有很好的控制。

  二、無(wú)整流橋的PFC電路

  無(wú)整流橋PFC 電路如圖1所示,在AC邊設(shè)置相互分離的升壓電感組成一種升壓結(jié)構(gòu)。無(wú)整流橋PFC等效電路如圖2 所示。對(duì)于此半周期,MOSFET VI和升壓二極管VD1再加上升電感一起構(gòu)成了一個(gè)升壓DC/DC變換器。同時(shí),MOSFET 相當(dāng)于一個(gè)普通的二極管來(lái)工作。輸人電流和輸人電壓都由此升壓變換器控制。

  在另外半個(gè)周期,工作原理是一樣的。因此,在每半個(gè)周期,其中一個(gè)MOSFET作為有源開(kāi)關(guān)工作,另外一個(gè)MOSFET作為二極管工作。這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)相同。

  無(wú)整流橋PFC與普通PFC 的區(qū)別見(jiàn)表1。在同一時(shí)刻,比較這兩個(gè)電路的傳導(dǎo)通道,無(wú)整流鞒的PFC電感電流僅僅通過(guò)這兩個(gè)半導(dǎo)體器件,而普通PFC 電路的電感電流則通過(guò)3個(gè)半導(dǎo)體器件。

  表1所示,無(wú)整流轎的PFC用一個(gè)MOSFET的體二極管來(lái)代替普通PFC 電路的兩個(gè)較慢恢復(fù)二極管。曲于這兩個(gè)電路都作為升壓變換器,因此它們的開(kāi)關(guān)損耗是一樣的。

  在這兩個(gè)電路中,盡管效率都有所改善,但導(dǎo)通損耗是不同的。與普通的PFC相比,無(wú)整流橋的PFC不僅減低了導(dǎo)通損耗,而且減少了元器件。

  為了估計(jì)無(wú)整流橋PFC電路效率的提高,戍原理分析比較其損耗。此電路選開(kāi)關(guān)是一個(gè)22A, 600V的結(jié)型MOSFET,升壓二極管選擇的是GBPC2506W, 25A、600V,用這些器件導(dǎo)通損耗模型的方法畫出這些器件的導(dǎo)通損耗曲線。由于電感電流是瞬時(shí)的,只能畫出這兩種器件在90V輸人電壓和不同輸出功率下的導(dǎo)通損耗曲線。兩種PFC 電路二極管抿耗比較如圖3所示。

  對(duì)于整個(gè)功率范圍,無(wú)整流橋的PFC在滿功率的水平能將總效率提高1 %??紤]到 MOSFET 的導(dǎo)通電阻很小,用同步整流方式的MOSFET,可以進(jìn)一步減小損耗。MOSFET -B通損耗的*估是基于其較低的體二極管壓降和導(dǎo)通電阻。兩種 PFC 電路MOS損耗比較如圖4所示,這兩種情況的功率損耗相似。

  盡管同步整流器在低功率時(shí)對(duì)損耗有少量改善,在MOSFET 溫度升高后,這種改善隨之消失。因?yàn)闇囟壬?,其?dǎo)通電阻也隨之增大,由于同步整流器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,所以不宜采納。

  三、無(wú)整流橋PFC電路提出的挑戰(zhàn)

  如圖1 所示,無(wú)整流橋PFC電路中沒(méi)有輸人的橋式整流二極管,其升壓電感是放置在AC邊。由于電路的輸人、輸出沒(méi)有直接相連,因此,無(wú)整流橋PFC電路有輸人電壓檢測(cè)、電流檢測(cè)和抗EMI電路。   :

  電壓檢測(cè)和電流檢測(cè)相關(guān)連去控制無(wú)整流橋PFC電路。對(duì)于普通的PFC電路,有幾種不同的控制方法己經(jīng)得到開(kāi)發(fā),例如平均電流型控制、峰值電流型控制、One Cycle控制。

  平均電流型控制是普遍用的控制方法,因?yàn)樗阅軆?yōu)越且易掌握。控制器把輸人電壓信號(hào)和電壓環(huán)內(nèi)輸出電壓信號(hào)的乘積作為電流基準(zhǔn),同時(shí),電流環(huán)用來(lái)控制電感平均電流,兩者的誤差放大信號(hào)送到 PWM。

  One Cycle控制技術(shù)為:控制器用電壓環(huán)的輸出龜壓和電感峰值電流來(lái)計(jì)算每一個(gè)開(kāi)關(guān)周期的占空比。由于占空比是根據(jù)升壓咆路的輸人和輸出電壓的關(guān)系來(lái)計(jì)算,盡管完成了率因數(shù)校正,電感電流的峰值也自動(dòng)地隨著輸人電壓而形戚。

  1、輸入電壓檢測(cè)

  對(duì)于傳統(tǒng)的PFC電路,輸人電壓檢測(cè)是簡(jiǎn)單的,因?yàn)檎鳂虻拇嬖冢梅謮涸恚?被整流的輸入電壓能夠直接被分壓器檢測(cè)到,如圖5所示。

  對(duì)于無(wú)整流橋PFC電路,困為沒(méi)有整流橋就沒(méi)有地方可以用分壓去檢測(cè)輸入電壓。一個(gè)線路頻率變壓器就是一個(gè)簡(jiǎn)單的檢測(cè)電壓工具,如圖6所示。對(duì)于一個(gè)龐大且成本很高的低頻變壓器,就就效率的設(shè)計(jì)而言是不可取的。

  作為電壓檢測(cè),光耦器件檢測(cè)也是一種好方法,因?yàn)樗哂懈綦x特性,如圖7所示。與普通分壓檢測(cè)相比,為了獲得較低畸變的電壓,寬電流范圍的高線性光耦器件并不實(shí)際也更加復(fù)雜。

  對(duì)于平均電流型控制,電感電流作為基準(zhǔn)是基于被檢測(cè)的輸人電壓,輸入電壓檢測(cè)是很有必要的,但相應(yīng)的成本很高,變換器也很龐大。

  One Cycle控制技術(shù)已相當(dāng)成熟,它是通過(guò)峰值電感電流和電壓環(huán)的輸出電壓共同作用,從而沒(méi)有必要作輸人電壓的檢測(cè)。

  普通的PFC電路,電壓檢測(cè)簡(jiǎn)單,從而造成One Cycle控制技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)不是很明顯。無(wú)整流橋PFC 電路,其電壓檢測(cè)復(fù)雜,因此One Cycle控制技術(shù)優(yōu)勢(shì)更加明顯。

  2、電流檢測(cè)

  傳統(tǒng)的PFC電路,電感電流檢測(cè)很簡(jiǎn)單。在電感電流回路放置一個(gè)分流電阻,利用共地控制來(lái)檢測(cè)電感電流,如圖8所示,對(duì)于電流檢測(cè)不需要隔離。

  對(duì)于無(wú)整流橋PFC電路,作為輸出,電感回路不能共用一個(gè)地。因此,需要用隔離的方法來(lái)檢測(cè)。和電壓檢測(cè)一樣,一個(gè)60Hz的電流型變壓器就可以直接解決電流檢測(cè)的問(wèn)題。

  通常一個(gè)低頻變壓器電流信號(hào)相位的延遲會(huì)造成率因數(shù)的降低。

  另一個(gè)隔離的辦法是利用差模放大器,如圖9所示。由于此PFC 電路的開(kāi)關(guān)是一個(gè)高頻、高輸出電壓的開(kāi)關(guān),因而有很高的共模電壓,將給電流信號(hào)中帶來(lái)很大的噪聲。這個(gè)檢測(cè)電流的電壓將功率損耗減到很小,而電流噪聲則會(huì)降低功率因數(shù)。另外,和分流電阻的方法相比,差模放大器的成本很高。

  換一種方法,電感電流能夠用功率開(kāi)關(guān)和升壓二極管翹流重新模擬出來(lái)。為了檢測(cè)電流,由于有不同的電感電流傳導(dǎo)通道,總共需要設(shè)置3個(gè)電流互感器。

  如圖10示,給出了這3個(gè)互感器的位置,用3個(gè)檢測(cè)電流的和,重新模擬產(chǎn)生輸人電流。

  對(duì)于平均電流型控制,作為電流環(huán),電感的平均電流是需要的。但是,對(duì)于OneCycle控制技術(shù),電流檢測(cè)僅僅需要電感峰值電流,因此,電流檢測(cè)能夠被簡(jiǎn)化。

  用兩個(gè)同型號(hào)的電流互感器和開(kāi)關(guān),電感峰值電流則很容易檢測(cè)。同時(shí),電流互感器的使用也能夠減少分流咆阻所帶來(lái)的功率損耗。和電壓檢測(cè)一樣,這種簡(jiǎn)單的電流檢測(cè)辦法,用One Cycle控制比普通的PFC電路控制更具吸引力。

  EMI 噪聲取泱于電源功率級(jí)的結(jié)構(gòu)。普通的PFC電路,輸出電壓的地總是通過(guò)整流橋和輸入線路相連,因此在MOSFET 的漏與地之間的寄生電容造成了主要的共模噪聲,如圖11所示。

  對(duì)于無(wú)整流橋PFC電路,與輸人線路相關(guān),輸出電壓總是浮動(dòng)的。因此,不僅MOSFET 的漏與地之閫的寄生電容Cd1和Cd2。所有輸出端和地之間的寄生電容CN和CP都造成共模噪聲,如圖12所示。

  無(wú)橋PFC 寄生電容上的電壓如圖13所示。由MOSFET漏和地之間的寄生電容Cd1和Cd2上的dv/dt可以看出,VCd1和VCd2是反極性的。

  精心的設(shè)計(jì)寄生電容會(huì)在很太程度上抑制噪聲。由輸出端到地之間的寄生電容Cn和Cp,產(chǎn)生的dv/dt可以看出,VN和VP是同極性的,也就是沒(méi)有辦法消除噪聲。

  考慮到這些電容不僅包括PFC電路輸出級(jí)的寄生電容,還包括輸入負(fù)載的那部分寄生電容,與普通PFC電路相比,無(wú)整流橋PFC電路的共模噪聲情況更糟。

  為了解決EMI的噪聲問(wèn)題,介紹一種新的無(wú)整流橋PFC 電路來(lái)減少EMI 噪聲的技術(shù),如圖14所示。與原來(lái)的無(wú)整流橋PFC 電路相比,在輸出電壓到AC端輸人線路之間建立的高頻通道上,增加了兩個(gè)電容。

  四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  基于上述的分析,無(wú)整流橋PFC電路的One Cycle控制既簡(jiǎn)化了電路,又提高效率。One cycle的控制方法更適合無(wú)整流橋的PFC電路。

  用IR1150S控制器設(shè)計(jì)了一個(gè)500W、100kHz開(kāi)關(guān)頻率,通用的線路輸入,OneCycle控制無(wú)整流橋PFC 電路。選用600V、22A的結(jié)型MOSFET和600V、4A的SiC二極管。另外,用同樣的元器件設(shè)計(jì)了一個(gè)普通的PFC電路作為比較參照。

  輸人電壓和電流波形如圖15所示。輸入電壓和龜流基本同相位。因此,用OneCycle控制的功率因數(shù)得到很好的校正。在90V輸人電壓時(shí),兩種PFC電路的效率比較如圖16所示。

  在整個(gè)功率范圍內(nèi),其效率和理論分析是一致的,提高了1%。在滿載輸出功率和不同輸入線路中,功率因數(shù)的比較如圖17所示。結(jié)果表明,在整個(gè)輸人線路中,用One Cycle控制的功率因數(shù)較高。無(wú)整流橋PFC電路和普通 PFC電路對(duì)EMI性能測(cè)試的比較,如圖18和圖19所示。測(cè)試結(jié)果表明,在低頻段,這兩種電路的噪聲相似。盡管在高頻段,無(wú)整流橋PFC電路的噪聲略高一些,但也是可以控制的。

  五、結(jié)論

  無(wú)整流橋PFC技術(shù)大大降低了輸入整流器的導(dǎo)通損耗,提高了效率,效率提高了1%。

  至于輸入電壓和電流檢測(cè),在增加成本和增繁電路的情況下提高了效率,同時(shí)也增加 EMI噪聲。

  One Cycle控制不需要輸入線路的檢測(cè),它是通過(guò)峰值電流的模式而工作的,從而使電路簡(jiǎn)化,性能優(yōu)越。至于EMI,用無(wú)整流橋技術(shù)的修訂版也得到改善。

  測(cè)試結(jié)果表明,One Cycle控制方式提高了功率因數(shù),簡(jiǎn)化了電路,同時(shí),和普通PFC電路相比,提高了近1%的效率。

  盡管無(wú)整流橋PFC電路顯示出了較高的EMI曲線,但和普通的PFC電路EMI是相似的,所以無(wú)橋PFC的EMI應(yīng)該是可以解決的。

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