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BSM200GB120DN2B英飛凌IGBT模塊 晶體管

數(shù)量(個) 價格
1 260元/個
  • 供貨總量： 電議
  • 最小起訂： 1個
  • 發(fā)貨地址： 昆山
  • 付款方式： 款到發(fā)貨
  • 發(fā)布日期：2024-04-08
  • 訪問量：127
咨詢電話：185-0163-0698
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第6年

上海萱鴻電子科技有限公司

實(shí)名認(rèn)證 企業(yè)認(rèn)證
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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核 營業(yè)執(zhí)照
  • 經(jīng)營模式： 經(jīng)銷商-其他有限責(zé)任公司
  • 所在地區(qū)：上海 松江區(qū)
  • 家家通積分：14241分
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詳細(xì)參數(shù)
品牌 英飛凌 規(guī)格型號 BSM200GB120DN2B
編號 20+ 計(jì)量單位 1個
付款方式 款到發(fā)貨 參考價格 260
價格單位 人民幣 供貨量 不限
說明書，報價手冊及驅(qū)動 資料下載 其他資料下載 暫無相關(guān)下載
產(chǎn)地 德國 發(fā)貨地 昆山

產(chǎn)品詳情




產(chǎn)品型號 BSM200GB120DN2B
制造商編號 641-BSM200GB120DN2B
描述 IGBT Modules 1200V 200A DUAL
產(chǎn)品種類

IGBT 模塊

產(chǎn)品

IGBT Silicon Modules

配置

Half Bridge Module

集電極—發(fā)射極蕞大電壓 VCEO

1200 V

集電極—射極飽和電壓

2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流

290 A

柵極—射極漏泄電流

400 nA

功率耗散

1.4 KW

蕞大工作溫度

+ 150 C

封裝 / 箱體

Half Bridge2

柵極/發(fā)射極蕞大電壓

20 V

安裝風(fēng)格

Screw


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