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IXYS艾賽斯可控硅模塊MCC26-16IO1B晶閘管 品質(zhì)保障

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蘇州銀邦電子科技有限公司

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詳細(xì)參數(shù)
品牌 艾賽斯 規(guī)格型號 MCC26-16IO1B
編號 型號齊全 計量單位 1個
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價格單位 人民幣 供貨量 不限
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產(chǎn)地 德國 發(fā)貨地 蘇州

產(chǎn)品詳情

蘇州銀邦主營:
西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊,整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅(qū)動電路、驅(qū)動板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管, 晶閘管/二極管、整流橋、驅(qū)動IC及驅(qū)動板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場效應(yīng)管、IPM、 驅(qū)動電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅(qū)動電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅(qū)動器
德國(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復(fù)二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社(SanRex)可控硅模塊 二極管 快恢復(fù)二極管
巴斯曼(BUSSMANN)熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器



 可控硅整流器是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以智能數(shù)字控制電路為的電源功率控制電器。具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點。“NX70系列晶閘管整流器”通過對電壓、電流和功率的控制,從而實現(xiàn)精密控溫。并且憑借其先進(jìn)的數(shù)字控制算法,優(yōu)化了電能使用效率。對節(jié)約電能起了重要作用。

  1.整流元件(晶閘管)

  簡單地說:整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管,晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,如:可關(guān)斷晶閘管GTO,逆導(dǎo)晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。

  晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長,體積小等優(yōu)點,自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門獨立的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”。 晶閘管發(fā)展到今天,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管額定電流可達(dá)5000A,國外更大。我國的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。

  晶閘管的應(yīng)用:

  一、可控整流

  如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現(xiàn)交流——可變直流

  二、交流調(diào)壓與調(diào)功

  利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,出現(xiàn)了一種過零觸發(fā),實現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。

  三、逆變與變頻

  直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗,增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定,然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流

  中頻加熱和交流電動機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻,交流——頻率可變交流

  四、斬波調(diào)壓(脈沖調(diào)壓)

  斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換,用在城市電車、電氣機(jī)車、電瓶搬運車、鏟車(叉車)、電氣汽車等,高頻電源用于電火花加工。

  五、無觸點功率靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān))

  作為功率開關(guān)元件,代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合

  晶閘管導(dǎo)通條件:

  晶閘管加上正向陽極電壓后,門極加上適當(dāng)正向門極電壓,使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后,門極就對它失去控制作用,通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可,稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,可降低陽極電壓,或增大負(fù)載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當(dāng)門極斷開時,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。

  根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,可以總結(jié)出:

  1.門極斷開時,晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導(dǎo)通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。

  2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時,管子不會導(dǎo)通,但此時正向漏電流隨著增大而顯著增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。

  3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負(fù)載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。

  晶閘管主要特性參數(shù)

  1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓(VDRM 、 VRRM取其小者)

  2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)

  3.門極觸發(fā)電流IGT,門極觸發(fā)電壓UGT, (受溫度變化)

  4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降

  5.維持電流IH與掣住電流IL

  6.開通與關(guān)斷時間

  晶閘管的選擇:

  晶閘管的過載能力差,根據(jù)實際電流還要乘以1.5~3倍,即電流裕量。通常按平均電流IT(AV)選取,額定電流的有效值ITe(即均方根值)為平均電流的1.57倍。

  波形系數(shù)Kf=Ite/IT(AV)=1.57

  額定電壓應(yīng)取實際工作時的可能電壓2~3倍,即電壓裕量。

  同時還要加上必要的保護(hù)措施。

  門極觸發(fā)電流:幾十個mA~幾百mA,離開這個范圍可能誤觸發(fā)或難觸發(fā)

  門極觸發(fā)電壓:3V左右

  臺面有凹臺和凸臺之分,散熱器與此有關(guān)

  2.主電路型式及多相整流

  一、單相

  1. 單相半波可控整流電路

  2. 單相全波可控整流電路(雙半波)

  3. 單相半控橋式可控整流電路

  4. 單相橋式可控整流電路

  二、三相

  1. 三相半波可控整流電路

  2. 三相橋式全控整流電路

  3. 三相橋式半控整流電路

  4. 三相全控橋式同相逆并聯(lián)整流電路

  5. 雙反星形帶平衡電抗器可控整流電路

  6. 雙反星形帶平衡電抗器全電路同相逆并聯(lián)可控整流Δ/Y┻Y+ Y┻Y

  三、多相整流

  多相整流可以大幅降低高次諧波電流,減少對電網(wǎng)的污染。

  不論是三相橋式還是雙反星形電路都可以組成多相整流。如12、24、36、48脈波,即在一個交流周波中直流脈動次數(shù)。一般來說,24脈波以上變壓器結(jié)構(gòu)相對較復(fù)雜,整變閥側(cè)出線銅排較多,這樣帶來了一些其它困難。大容量機(jī)組可以用多臺整流機(jī)組,通過移相相位差及并聯(lián)運行來實現(xiàn)多相整流。

  3.保護(hù)

  可控硅本身在選擇時就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量。為了使整流器可靠的工作,還必須加上各種保護(hù)。過流,限流,過壓,快熔斷,元件損壞,水壓異常,水溫高,缺相,欠支路,橋臂過熱,防雷擊,控制電路過流過壓失控等;整變輕重瓦斯,油溫異常。

  (1)晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護(hù)

  晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

  (2)交流側(cè)過電壓及其保護(hù)

  由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,就可以顯著減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時,因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。

  (3)直流側(cè)過電壓及保護(hù)

  當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時,儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓,但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。

  (4)過電流保護(hù)

  一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),實際上它不能保護(hù)可控硅,而是保護(hù)變壓器線圈。

  (5)電壓、電流上升率的限制

  4.均流與晶閘管選擇

  均流不好,很容易燒壞元件。為了解決均流問題,過去加均流電抗器,噪聲很大,效果也不好,一只一只進(jìn)行對比,擰螺絲松緊,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我們采用的辦法是:用計算機(jī)程序軟件進(jìn)行動態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號,裝配時按其號碼順序裝配,很間單。每一只元件上都刻有字,以便下更換時參考。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到0.85以上。為了減少并聯(lián),選用大元件。這樣可以進(jìn)一步提高均流度,并減小損耗,因為每一只元件都存在一個 壓降, 這也是整流器的主要損耗。

  5.觸發(fā)控制電路

  目前,可控硅觸發(fā)電路有很多:模擬IC集成觸發(fā)電路,其中有國產(chǎn)IC KJ004(KJ009); 進(jìn)口IC有TCA785 ,787電路;數(shù)字觸發(fā)(一種邏輯芯片)模擬控制,可同步鎖相;單片機(jī)觸發(fā)控制電路也越來越廣泛應(yīng)用,都可PI調(diào)節(jié)。都能滿足可控硅的觸發(fā)要求。



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