產(chǎn)品詳情
蘇州銀邦主營:
西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊，整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管， 晶閘管/二極管、整流橋、驅(qū)動(dòng)IC及驅(qū)動(dòng)板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場效應(yīng)管、IPM、 驅(qū)動(dòng)電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅(qū)動(dòng)電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅(qū)動(dòng)器
德國(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復(fù)二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社（SanRex）可控硅模塊 二極管 快恢復(fù)二極管
巴斯曼（BUSSMANN）熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器
IGBT工作原理
方法：
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。
導(dǎo)通：
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分）。如等效電路圖所示（圖），其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件。基片的應(yīng)用在管體的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。 當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí)，一個(gè)N溝道形成，同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流，并完全按照功率 MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流。的結(jié)果是，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流（MOSFET 電流）； 一個(gè)空穴電流（雙極）。
