蘇州銀邦電子技有限公司：

　　代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，公司積累了堅實的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識，為電力拖動、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！ 代理品牌：

　　1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；

　　2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；

　　3、CONCEPT、IDC驅(qū)動片及驅(qū)動板；

　　4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；

IGBT開關(guān)時間的定義

IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續(xù)流二極管。那么對于IGBT開關(guān)時間的定義，你又了解多少？具體如下。

1. 開通時間ton 開通時間還可以分為兩個部分：開通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時間內(nèi)IGBT主要工作在主動區(qū)域。

當(dāng)柵極和發(fā)射極之向被加上一個階躍式的正向驅(qū)動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始上升，上升過程的時間常數(shù)由CGE和柵極驅(qū)動網(wǎng)路的電阻所決定，一旦’VGE達到開啟電壓VGE（th）后，集電極電流Ic則開始上升。從VGE上升至VGE(th）開始，到IC上升至負載電流IL的10%為止，這段時間被定義為開通延遲時間td（on）。

此后，集電極電流Ic持續(xù)上升，到Ic上升至負載電流IL的90%的時候，這段時間稱為上升時間tr。開通延遲時間td（on）與上升時間tr之和被為開通時間ton。在整個開通時間內(nèi)，可以看出電流逐漸上升而集電極—發(fā)射極之間的壓降仍然十分可觀，因此主要的開通損耗產(chǎn)生于這一時間內(nèi)。

2. IGBT導(dǎo)通 IGBT導(dǎo)通時，主要工作在飽和區(qū)域。 IGBT開通后，集電極電流Ic仍然會繼續(xù)上彝，并產(chǎn)生一個開通電流峰值，這個峰值是由阻感性負載及續(xù)流二極管共同產(chǎn)生的，峰值電流過大可能會損耗IGBT。Ic在達到峰值之后會逐步下降至負載電流Ic的水平，與此同時，VCE也下降至飽和壓降水平，ICBT進入相對穩(wěn)定的導(dǎo)通階段。在這個階段中的主要參數(shù)是由負載確定的通態(tài)電流IL以及一個較低的飽和壓降VCEsat，可以看出，工作在飽和區(qū)的IGBT的損耗并不是特別大。 3. 關(guān)斷時間toff 同開通時間ton一樣，關(guān)斷時間toff也可以分為兩段：關(guān)斷延遲時間td（off），以及下降時間tf。 當(dāng)柵極和發(fā)射極之間的正向電壓被突然撤銷并同時被加上一個負壓后，VCE便開始下降。下降過程的時間常數(shù)仍然由輸入電容CGE和柵極驅(qū)動回路的電阻所決定。同時，VCE開始上升。但只要VCE小于VCC，則續(xù)流二極管處于截止?fàn)顟B(tài)且不能接續(xù)電流。所以，IGBT的集電極電流Ic在此期間并沒有明顯的下降。因此，從柵極—發(fā)射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始，直到集電極電流下降至負載電流的90%為止；這一段時間被定義為關(guān)斷延遲時間td（off）。 一旦上升的IGBT的集電極—發(fā)射極電壓超過工作電壓VCC時，續(xù)流二極管便處于正向偏置的狀態(tài)下，負載電流便可以換流至續(xù)流二極管，集電極電流也因此下降口從集電極電流IC由負載電流k的90%下降至10%之間的時間稱為下降時間tf。從圖1中可以看出，在IC下降的同時，VCE會產(chǎn)生一個大大超過工作電壓Vcc的峰值，這主要是由負載電感引起的，其幅度與IGBT的關(guān)斷速度呈線性關(guān)系。峰值電籮過高可能會造成IGBT的損壞。 關(guān)斷延遲時間，與下降時間tf 之和稱為關(guān)斷時間toff。 4. 拖尾時間、拖尾電流 相比于MOSFET，IGBT采用一種新的方式降低了通態(tài)損耗，但是這一設(shè)計同時引發(fā)了拖尾電流It，拖尾電流持續(xù)衰減至關(guān)斷狀態(tài)漏電流的時間稱為拖尾時間tt，拖尾電流嚴(yán)重的影響了關(guān)斷損耗，因為在這段時間里，VCE已經(jīng)上升至工作電壓VCC以上。拖尾電流的產(chǎn)生也告訴我們，即使在柵極給出了關(guān)斷信號，IGBT也不能及時的完全關(guān)斷，這是值得注意的，在設(shè)計驅(qū)動時要保證兩個橋臂的驅(qū)動波形有足夠的死區(qū)。