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可控硅艾賽斯MCC26-16IO8B平板晶閘管

數(shù)量(個) 價格
1 80元/個
  • 供貨總量: 電議
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  • 發(fā)貨地址: 江蘇蘇州市
  • 付款方式: 面議
  • 發(fā)布日期:2024-12-27
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蘇州銀邦電子科技有限公司

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詳細參數(shù)
品牌 艾賽斯 規(guī)格型號 型號齊全
編號 / 計量單位 1個
付款方式 面議 參考價格 80
價格單位 供貨量 不限
說明書,報價手冊及驅(qū)動 暫無相關下載 其他資料下載 暫無相關下載
產(chǎn)地 美國 發(fā)貨地 江蘇蘇州市

產(chǎn)品詳情

蘇州銀邦電子技有限公司:

  代理功率半導體產(chǎn)品及配套器件,IGBT以及配套驅(qū)動網(wǎng)上供應商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽,在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象,同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系,也是眾多電子廠商(富士、三菱、英飛凌、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的誠信代理商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗,公司積累了堅實的功率半導體應用知識,為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案,為客戶提供技術支持! 代理品牌:

  1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;

  2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;

  3、CONCEPT、IDC驅(qū)動片及驅(qū)動板;

  4、巴斯曼(BUSSMANN),西門子,日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等;

IGBT開關時間的定義

IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態(tài)為關斷狀態(tài),即VGE為負壓VGC-,后級輸出為阻感性負載,帶有續(xù)流二極管。那么對于IGBT開關時間的定義,你又了解多少?具體如下。

1. 開通時間ton 開通時間還可以分為兩個部分:開通延遲時間td(on)與上升時間tr,在此時間內(nèi)IGBT主要工作在主動區(qū)域。

當柵極和發(fā)射極之向被加上一個階躍式的正向驅(qū)動電壓后,便對CGE開始充電,VGE開始上升,上升過程的時間常數(shù)由CGE和柵極驅(qū)動網(wǎng)路的電阻所決定,一旦’VGE達到開啟電壓VGE(th)后,集電極電流Ic則開始上升。從VGE上升至VGE(th)開始,到IC上升至負載電流IL的10%為止,這段時間被定義為開通延遲時間td(on)。

此后,集電極電流Ic持續(xù)上升,到Ic上升至負載電流IL的90%的時候,這段時間稱為上升時間tr。開通延遲時間td(on)與上升時間tr之和被為開通時間ton。在整個開通時間內(nèi),可以看出電流逐漸上升而集電極—發(fā)射極之間的壓降仍然十分可觀,因此主要的開通損耗產(chǎn)生于這一時間內(nèi)。

2. IGBT導通 IGBT導通時,主要工作在飽和區(qū)域。 IGBT開通后,集電極電流Ic仍然會繼續(xù)上彝,并產(chǎn)生一個開通電流峰值,這個峰值是由阻感性負載及續(xù)流二極管共同產(chǎn)生的,峰值電流過大可能會損耗IGBT。Ic在達到峰值之后會逐步下降至負載電流Ic的水平,與此同時,VCE也下降至飽和壓降水平,ICBT進入相對穩(wěn)定的導通階段。在這個階段中的主要參數(shù)是由負載確定的通態(tài)電流IL以及一個較低的飽和壓降VCEsat,可以看出,工作在飽和區(qū)的IGBT的損耗并不是特別大。 3. 關斷時間toff 同開通時間ton一樣,關斷時間toff也可以分為兩段:關斷延遲時間td(off),以及下降時間tf。 當柵極和發(fā)射極之間的正向電壓被突然撤銷并同時被加上一個負壓后,VCE便開始下降。下降過程的時間常數(shù)仍然由輸入電容CGE和柵極驅(qū)動回路的電阻所決定。同時,VCE開始上升。但只要VCE小于VCC,則續(xù)流二極管處于截止狀態(tài)且不能接續(xù)電流。所以,IGBT的集電極電流Ic在此期間并沒有明顯的下降。因此,從柵極—發(fā)射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始,直到集電極電流下降至負載電流的90%為止;這一段時間被定義為關斷延遲時間td(off)。 一旦上升的IGBT的集電極—發(fā)射極電壓超過工作電壓VCC時,續(xù)流二極管便處于正向偏置的狀態(tài)下,負載電流便可以換流至續(xù)流二極管,集電極電流也因此下降口從集電極電流IC由負載電流k的90%下降至10%之間的時間稱為下降時間tf。從圖1中可以看出,在IC下降的同時,VCE會產(chǎn)生一個大大超過工作電壓Vcc的峰值,這主要是由負載電感引起的,其幅度與IGBT的關斷速度呈線性關系。峰值電籮過高可能會造成IGBT的損壞。 關斷延遲時間,與下降時間tf 之和稱為關斷時間toff。 4. 拖尾時間、拖尾電流 相比于MOSFET,IGBT采用一種新的方式降低了通態(tài)損耗,但是這一設計同時引發(fā)了拖尾電流It,拖尾電流持續(xù)衰減至關斷狀態(tài)漏電流的時間稱為拖尾時間tt,拖尾電流嚴重的影響了關斷損耗,因為在這段時間里,VCE已經(jīng)上升至工作電壓VCC以上。拖尾電流的產(chǎn)生也告訴我們,即使在柵極給出了關斷信號,IGBT也不能及時的完全關斷,這是值得注意的,在設計驅(qū)動時要保證兩個橋臂的驅(qū)動波形有足夠的死區(qū)。

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