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邯鄲市BUMHAN電抗器BHTB-DG10K,BHTB-DG20K,BHTB-DG30K,

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第15年

中山朗立電氣有限公司

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詳細(xì)參數(shù)
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產(chǎn)地 韓國(guó) 發(fā)貨地 中山市

產(chǎn)品詳情

邯鄲市BUMHAN電抗器BHTB-DG10K,BHTB-DG20K,BHTB-DG30K,NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMD(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMS(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMW(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMDC(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMWC(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRMSC(40.75.125A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRZ

例如由于環(huán)境溫度過(guò)高，或逆變器件本身老化等原因，使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化，導(dǎo)致在交替過(guò)程中，一個(gè)器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個(gè)器件卻還未來(lái)得及關(guān)斷，引起同一個(gè)橋臂的上、下兩個(gè)器件的“直通”，使直流電壓的正、負(fù)極間處于短路狀態(tài)。升速時(shí)過(guò)電流當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而升速時(shí)間又設(shè)定得太短時(shí)，意味著在升速過(guò)程中，變頻器的工作效率上升太快，電動(dòng)機(jī)的同步轉(zhuǎn)速迅速上升，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去，結(jié)果是升速電流太大。降速中的過(guò)電流當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而降速時(shí)間設(shè)定得太短時(shí)，也會(huì)引起過(guò)電流。因?yàn)?，降速時(shí)間太短，同步轉(zhuǎn)速迅速下降，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大，仍維持較高的轉(zhuǎn)速，這時(shí)同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線的速度太大而產(chǎn)生過(guò)電流。成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。主要生產(chǎn)廠家編輯主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR，JBL等。術(shù)語(yǔ)編輯IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率延伸閱讀編輯柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中。邯鄲市BUMHAN電抗器BHTB-DG10K,BHTB-DG20K,BHTB-DG30K,

NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRAD-(0.1-0.5A)
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NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRCZD-(0.1-10A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRCZD-(0.3-30A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRCZD-(5-30A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRCZY-(0.1-0.5A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRCZY-(5-60A)
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NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRZW-(0.1-10A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRZW-(0.3-30A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-PRZW-(5-30A)
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-T100
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-D100
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MCU-Y100
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MTU-1000
NAEUN TECH/LECHEON.CO:MTU-2000

表面應(yīng)光滑平順，無(wú)氣孔、焊渣、虛焊及漏焊等缺陷。18)在滿足風(fēng)荷載強(qiáng)度的條件下，立桿及其主要構(gòu)件頂部的位移（繞度值）應(yīng)不小于立桿及其主要構(gòu)件高度的1/200.19)立桿及其主要構(gòu)件具備防雷功能。燈具的非帶電金屬形成整體，通過(guò)外殼上的接地螺栓與接地線連接。20)立桿及其主要構(gòu)件外殼的防護(hù)等級(jí)不小于：IP55，立桿及其主要構(gòu)件的防護(hù)等級(jí)應(yīng)滿足露天使用環(huán)境的要求。21)立桿及其主要構(gòu)件應(yīng)設(shè)有可靠接地裝置，其接地電阻應(yīng)≤10歐姆。22)立桿及其主要構(gòu)件基礎(chǔ)的型式和尺寸應(yīng)根據(jù)燈塔安裝處的地震烈度、風(fēng)荷載強(qiáng)度、地質(zhì)條件及用戶提出的具體要求確定，應(yīng)按照要求提供具體安裝圖樣及必要的施工要求（具體應(yīng)包含：基礎(chǔ)混凝土強(qiáng)度不得低于C20；開(kāi)通Q1并自動(dòng)再次連通負(fù)載。上述過(guò)程會(huì)一直周期性重復(fù)下去，除非移去多余負(fù)載或?qū)AX668關(guān)閉使其停止工作。因此MAX810L和開(kāi)關(guān)Q1一起構(gòu)成了一個(gè)固態(tài)開(kāi)關(guān)（電子絲）。絲絲MAX810L（微功耗器件）具有非平衡推挽輸出級(jí)。當(dāng)對(duì)外輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻；當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。邯鄲市BUMHAN電抗器BHTB-DG10K,BHTB-DG20K,BHTB-DG30K,

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