MSLYFVZ礦用漏泄同軸電纜
一、貴州礦用光纜MGTSV-32B產(chǎn)品用途及特點(diǎn)
本產(chǎn)品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設(shè)施在建筑物內(nèi)部在無(wú)線電波不能直接傳播
與傳播不良的特殊環(huán)境下作通信系統(tǒng)傳輸線。
二、貴州礦用光纜MGTSV-32B主要技術(shù)特性
使用頻率: 1GHz 以下
使用環(huán)境溫度: -25"C~70'C
數(shù)設(shè)溫度:
不低于-10C
彎曲半徑:
不大于電纜外徑的15倍。
三、貴州礦用光纜MGTSV-32B產(chǎn)品型號(hào)、主要結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)及性能參數(shù)
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單位 |
產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格 |
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MSLYFVZ-75-9 |
MSLYFVZ-50-9 |
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結(jié)構(gòu)尺寸 |
圓銅線內(nèi)導(dǎo)體 |
mm |
2.0 |
3.5 |
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物理發(fā)泡聚乙烯絕緣 |
mm |
8.8 |
8.8 |
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平行導(dǎo)線柵型外導(dǎo)體 |
mm |
10 |
10 |
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黑色聚乙烯內(nèi)護(hù)層 |
mm |
12.6 |
12.6 |
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電氣性能 |
耐電壓(A.C) |
V/min |
1500/1 |
1500/1 |
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20℃絕緣電阻 |
MΩ．KM |
1000 |
1000 |
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特性阻抗 |
Ω |
75±3 |
50±3 |
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衰減常數(shù) |
60MHz |
dB/km |
≤40 |
≤45 |
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150MHz |
dB/km |
≤55 |
≤60 |
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電壓駐波比60~1 50MHz |
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≤1.2 |
≤1.2 |
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耦合損耗 |
60MHz |
dB |
80±10 |
85±10 |
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150MHz |
dB |
80±10 |
75±10 |
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注:電纜的外徑也可按用心要求定做。
四、貴州礦用光纜MGTSV-32B產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖
因?yàn)?1系列單片機(jī)進(jìn)入早、使用人數(shù)較多、資料較多，關(guān)鍵的寄存器配置比較簡(jiǎn)單。有了數(shù)模電基礎(chǔ)、C語(yǔ)言基礎(chǔ)后，就可以買(mǎi)一塊51單片機(jī)學(xué)習(xí)編程了。在學(xué)習(xí)編程的時(shí)候要有順序，先從操作單片機(jī)的GPIO口開(kāi)始，再學(xué)習(xí)定時(shí)器、中斷、AD采樣、PWM輸出，后再學(xué)習(xí)UART、IISPI等通訊方式，經(jīng)過(guò)上述步驟之后，對(duì)單片機(jī)就有了基本的認(rèn)識(shí)。學(xué)習(xí)硬件的設(shè)計(jì)單片機(jī)編程是基于硬件基礎(chǔ)之上的，了解了編程之后，再來(lái)學(xué)習(xí)一下單片機(jī)硬件的設(shè)計(jì)。
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