BLR-250/4 J 250A隔離開(kāi)關(guān) 大新太陽(yáng)能發(fā)電總裝機(jī)

在智能駕駛的車(chē)端場(chǎng)景下，非易失性是否是的呢？吳強(qiáng)認(rèn)為，對(duì)于智能駕駛場(chǎng)景，直觀來(lái)看，非易失性的作用不是特別大，因?yàn)楫?dāng)智能駕駛車(chē)輛在開(kāi)啟的時(shí)候，系統(tǒng)需要一直處于運(yùn)算狀態(tài)，一旦車(chē)不用了就會(huì)直接關(guān)掉
寫(xiě)　的性能上，要比RRAM和MRAM差很遠(yuǎn)，并且成本也比較高　在非易失性存儲(chǔ)器里，RRAM和MRAM的性能是大家公認(rèn)#好的，同時(shí)存儲(chǔ)密度也可以做得很大　 　如果要增加lsquo　哨兵模式rsquo　這種應(yīng)用場(chǎng)景 　 需要車(chē)輛長(zhǎng)時(shí)間　


待命　，比如說(shuō)要在機(jī)場(chǎng)停一個(gè)禮拜或者一個(gè)月，非易失性就會(huì)起較大的作用，因?yàn)檫@種特性可以保證在車(chē)輛熄火斷電的情況下，控制芯片也能夠保持足夠長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間　 　 2、　存算一體芯片主要玩家 　 備注：由于國(guó)外存算一體公司公開(kāi)信息相對(duì)較少，故重點(diǎn)整理了其中主要三家企業(yè)的基本信息 　
2.1 國(guó)外主要玩家 　 2.1.1 　三星　 　 產(chǎn)品名稱(chēng)：HBM2-PIM 發(fā)布時(shí)間：2021年2月 存儲(chǔ)介質(zhì)：DRAM 　 實(shí)現(xiàn)方案：將4片常規(guī)DRAM die和4片具有計(jì)算功能的DRAM die通過(guò)TSV通孔垂直組合在一起　

其中具有計(jì)算功能的DRAM die內(nèi)部集成了計(jì)算邏輯單元，即將AI引擎引入每個(gè)存儲(chǔ)子單元，從而將處理操作轉(zhuǎn)移到HBM　每個(gè)存儲(chǔ)子單元都有一個(gè)嵌入式可編程計(jì)算單元（PCU），其運(yùn)行頻率為300 MHz，每個(gè)裸片上（PIM-DRAM die）有32個(gè)PCU　

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