新聞:宜賓水下打撈隊(duì)多少錢

不要選用耐壓6V的MOSFET耐壓6V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為L(zhǎng)ED燈具的輸入電壓一般是22V，所以耐壓6V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到34V，在有浪涌的時(shí)候，6V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用6VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用6V耐壓的MOSFET，選用耐壓超過(guò)7V的MOSFET。

水中事故是經(jīng)常會(huì)發(fā)生的，水下工程人員告訴我們應(yīng)對(duì)這類事情我們可以選擇的救援方法有很多種。在救援的時(shí)候要盡可能選擇短時(shí)間救出溺水者的方法。

1、淺池救出法是救援人員救助在淺池里發(fā)生溺水事故的遇險(xiǎn)者的方法。溺水者常常會(huì)在水面上掙扎.或浮在水面上一動(dòng)不動(dòng)，或沉入水中。不管溺水者處于哪一種狀態(tài).救援人員都應(yīng)盡快在池邊或岸邊移動(dòng)，尋找離溺水者近的位置下水，以便盡快接近溺水者。 只要沒有頸椎損傷危險(xiǎn)，可以直接把浮在水面上的溺水者抱出水 面;如果對(duì)方已沒人水中，救援人員應(yīng)利用下蹲把對(duì)方托起來(lái)，使其頭部很快硯出水面.以便呼吸。

2、入水游泳救出法是救援人員利用救護(hù)器材的同時(shí)，采用人水游泳進(jìn)行溺水打撈救助的方法。直接入水救人的方法要求選擇水性好的救援人員擔(dān)當(dāng)，并且一定要有很好的安全保護(hù)措施.如系上保護(hù)繩、穿上救生衣等。直接游泳救出行動(dòng)的順序?yàn)?發(fā)現(xiàn)溺水者;淤 泳接近溺水者;在水中保護(hù)溺水者;游泳移送溺水者;把溺水者拉 到岸邊上。必要的緊急救護(hù)措施。

3、接近溺水者時(shí)，要求救援人員應(yīng)用自身防護(hù)的方法。接近溺水者的方法有從后方接近、從前方接近、潛水接近兒種方法，但原則上是從后方接近溺水者。到達(dá)離溺水者2m遠(yuǎn)的位置時(shí)，稍作停留并做好自我保護(hù)，然后再慢慢地接近溺水者，接近后立即進(jìn)行安全保護(hù)，一邊觀察溺水者的神態(tài)，一邊托起溺水者的上體，上喊使其露出水面。

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MSBR(ModifiedSequencingBatchReactor)是改良式序列間歇反應(yīng)器，是C.Q.Yang等人根據(jù)SBR技術(shù)特點(diǎn)。結(jié)合傳統(tǒng)活性污泥法技術(shù)，研究開發(fā)的一種更為理想的污水處理系統(tǒng)。MSBR既不需要初沉池和二沉池，又能在反應(yīng)器全充滿并在恒定液位下連續(xù)進(jìn)水運(yùn)行。采用單池多格方式，結(jié)合了傳統(tǒng)活性污泥法和SBR技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。不但無(wú)需間斷流量，還省去了多池工藝所需要的更多的連接管、泵和閥門。

4、從前方接近時(shí)，可邊采用防護(hù)姿勢(shì)邊慢慢地靠近溺水者，接近后，應(yīng)先觀察溺水者的狀態(tài)，如果詡水者沒有掙扎.先把 溺水者的上體托起來(lái).一只手抓對(duì)方手碗.另一只手保護(hù)其上額并讓其露出水面。托住溺水者上順的手應(yīng)與抓對(duì)方手腕的手保持一 致，抓對(duì)方的左手時(shí)用左手，抓對(duì)方的右手時(shí)用右手，這樣就比較 容易托起其上碩。另外還可能在水下發(fā)生溺水者在水中掙扎的情況，這時(shí)候就應(yīng)使用潛水等比較安全的救助方法。

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上期在污水處理技術(shù)篇為大家詳細(xì)解釋了COD，今天為大家詳細(xì)介紹BOD，更多精彩，。BOD(BiochemicalOxygenDemand的簡(jiǎn)寫)：生化需氧量或生化耗氧量(一般指五日生化學(xué)需氧量)，表示水中有機(jī)物等需氧污染物質(zhì)含量的一個(gè)綜合指示。說(shuō)明水中有機(jī)物由于微生物的生化作用進(jìn)行氧化分解，使之無(wú)機(jī)化或氣體化時(shí)所消耗水中溶解氧的總數(shù)量。解氧瓶中，在2℃的暗處培養(yǎng)5d，分別測(cè)定培養(yǎng)前后水樣中溶解氧的質(zhì)量濃度，由培養(yǎng)前后溶解氧的質(zhì)量濃度之差，計(jì)算每升樣品消耗的溶解氧量，以BOD5形式表示。