蘇州銀邦電子技有限公司：

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可控硅怎么測量好壞？取一指針式三用電表擺在電阻擋Rx1紅棒擺在陰極黑棒擺在陽極然后用黑棒的電位去碰觸控制極。這時要導通放開控制極一樣要導通，黑棒放開斷路。若是這樣屬於好的，若是不觸發(fā)控制極就導通那就壞掉了。半導體的標準工作溫度是25度C他有一個溫升曲線溫度越高效率越低升到100度C的時候效率幾乎等於零。等冷卻了效率才會回升。

上面這個回答可能過于簡單，一般學過電子的人都知道，但是可控硅如何用萬用表來測量好壞呢？首先要介紹下可控硅的結構：

單向可控硅結構：由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

雙向可控硅結構：雙向可控硅實質上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。

單相可控硅怎么用萬用表測量好壞？

1、可控硅的管腳判別

可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。晶閘管管腳的判別可用下述方法：

1.先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。

2.再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

2、可控硅的檢測

用萬用表判斷可控硅的好壞可用下述方法：

1.萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。

2.將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉，說明該可控硅已擊穿損壞。

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

萬用表檢測雙向可控硅方法

方法一：測量極間電阻法

將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：

1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；

2、如果測得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時，說明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞，也不能使用。

方法二：檢查觸發(fā)導通能力A

萬用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分(其中一個單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導通。

方法三：檢查觸發(fā)導通能力B

取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R×10k檔(V電壓)，對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2(b)連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。

應用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。

以上就是關于可控硅怎么測量好壞的解答，有人反應，直流驅動器的冷卻風扇如果不能正常散熱，將會縮短可控硅使用壽命。