蘇州銀邦電子技有限公司：

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可控硅怎么測(cè)量好壞？取一指針式三用電表擺在電阻擋Rx1紅棒擺在陰極黑棒擺在陽(yáng)極然后用黑棒的電位去碰觸控制極。這時(shí)要導(dǎo)通放開(kāi)控制極一樣要導(dǎo)通，黑棒放開(kāi)斷路。若是這樣屬於好的，若是不觸發(fā)控制極就導(dǎo)通那就壞掉了。半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)工作溫度是25度C他有一個(gè)溫升曲線(xiàn)溫度越高效率越低升到100度C的時(shí)候效率幾乎等於零。等冷卻了效率才會(huì)回升。

上面這個(gè)回答可能過(guò)于簡(jiǎn)單，一般學(xué)過(guò)電子的人都知道，但是可控硅如何用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量好壞呢？首先要介紹下可控硅的結(jié)構(gòu)：

單向可控硅結(jié)構(gòu)：由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

雙向可控硅結(jié)構(gòu)：雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。

單相可控硅怎么用萬(wàn)用表測(cè)量好壞？

1、可控硅的管腳判別

可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。晶閘管管腳的判別可用下述方法：

1.先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。

2.再將萬(wàn)用表置于R*10K擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說(shuō)明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。

2、可控硅的檢測(cè)

用萬(wàn)用表判斷可控硅的好壞可用下述方法：

1.萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。

2.將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線(xiàn)瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該可控硅已擊穿損壞。

陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。

萬(wàn)用表檢測(cè)雙向可控硅方法

方法一：測(cè)量極間電阻法

將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：

1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；

2、如果測(cè)得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時(shí)，說(shuō)明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開(kāi)路損壞，也不能使用。

方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A

萬(wàn)用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線(xiàn)將G與T1(或T2)短接一下后離開(kāi)，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說(shuō)明雙向可控硅中的一部分(其中一個(gè)單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線(xiàn)將G與T1(或T2)短接一下后離開(kāi)，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說(shuō)明雙向可控硅整個(gè)都是好的，即在兩個(gè)方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。

方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B

取一只10uF左右的電解電容器，將萬(wàn)用表置于R×10k檔(V電壓)，對(duì)電解電容器充電3~5s后用來(lái)代替圖1中的短路線(xiàn)，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào)，然后再將萬(wàn)用表置于R×10檔，照?qǐng)D2(b)連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí)，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開(kāi)，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。

應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號(hào)增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。

以上就是關(guān)于可控硅怎么測(cè)量好壞的解答，有人反應(yīng)，直流驅(qū)動(dòng)器的冷卻風(fēng)扇如果不能正常散熱，將會(huì)縮短可控硅使用壽命。