產(chǎn)品詳情
LVS光源LV-HLS2-540-RD,KOBA,SA85-50 M85x2.0
振蕩器參數(shù)設(shè)置
振蕩f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr（Vdd=10V）。如考慮振蕩器的性，由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt（Rs=10Rt時(shí)，振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化）為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件，Rt>1KΩ?Cr>1000Pf，否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器，往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào)，為保證時(shí)間可調(diào)，則振蕩回路Rt可選擇線性X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇性好的CBB聚丙烯電容，時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定，從而使設(shè)定時(shí)間值（標(biāo)牌刻度示值）與實(shí)際延時(shí)值相吻合，以整定誤差。
譬如要設(shè)置10s，可將Rt選擇，1MΩ可調(diào)電位器，Ct可選擇104 pF，輸出分頻端從15腳Q10引出，則大
延時(shí)值為11S，因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù)，則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振，使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器，在此就不多加贅述。
該專用芯片采用CMOS工藝，具有微功耗，抗能力強(qiáng)（內(nèi)部采用硬件編程），外配石英振蕩器，多種時(shí)基選擇，具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作。四位延時(shí)整定，具有BCD碼輸出，可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢(shì)。
所以在低壓電路中采用絲時(shí)應(yīng)考慮這個(gè)問題。大部分的絲是用溫度系數(shù)為正的材料制造的，因此，就有冷電阻和熱電阻之分。4．溫度絲的電流承載能力，其實(shí)驗(yàn)是在25℃溫度條件下進(jìn)行的，這種實(shí)驗(yàn)受溫度變化的影響。溫度越高，絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運(yùn)行會(huì)絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是絲在額定電壓下能夠確實(shí)熔斷的許可電流。短路時(shí)，絲中會(huì)多次通過比正常工作電流大的瞬時(shí)過載電流。運(yùn)行要求絲保持完整的狀態(tài)(無爆裂或斷裂)并短路。智能對(duì)于大多數(shù)采用電感的非同步整流升壓型開關(guān)變換器，其輸入和輸出之間都存在一條直流通路，如圖1所示。該通路的存在會(huì)造成兩種不良后果：其一。LVS光源LV-HLS2-540-RD,KOBA,SA85-50 M85x2.0LVS光源LV-HLS2-540-RD,KOBA,SA85-50 M85x2.0
LVS光源LV-HLS2-540-RD,KOBA,SA85-50 M85x2.0LVS光源LV-HLS2-540-RD,KOBA,SA85-50 M85x2.0
